IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

396

225

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

450

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

1530

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

225

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

450

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =225A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.85

2.20

V

I C =225A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.25

I C =225A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =9.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.8

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

27.1

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.66

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

2.12

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =225A, r გონ =3.3Ω, r გოფ =6.2Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ =25 O C

187

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

587

n

T F

შემოდგომის დრო

350

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

56.1

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

52.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =225A, r გონ =3.3Ω, r გოფ =6.2Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ = 125O C

200

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

85

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

693

n

T F

შემოდგომის დრო

662

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

75.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

80.9

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =225A, r გონ =3.3Ω, r გოფ =6.2Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ = 150O C

208

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

90

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

704

n

T F

შემოდგომის დრო

744

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

82.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

87.7

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =225A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =225A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.90

I F =225A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

63.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

352

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

37.4

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C

107

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

394

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

71.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 O C

121

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

385

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

82.8

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.098

0.158

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.029

0.047

0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

350

g