4500V 2000A
Მოკლე შესახებ:
Ინდივიდუალური წარმოება YT-ის მიერ, StakPak პაკეტი, IGBT მოდული fWD-ით.
Მახასიათებლები
Აპლიკაციები
Მაქსიმალური Შეფასებული Მნიშვნელობები
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
Ღირებულება |
Ერთეული |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
V CES |
V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 ° C |
4500 |
V |
DC კოლექტორი Cu ბინა |
I C |
T C =100 ° C,T vj =125 ° C |
2000 |
Ა |
Პიკის კოლექტორის მიმდინარე |
I CM |
t პ =1ms |
4000 |
Ა |
Გეით -Გამომცემელი Ვოლტი |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
|
± 20 |
V |
Ჯამში Ენერგია Გამოტაცია |
Პ tot |
T C =25 ° C,T vj =125 ° C |
20800 |
W |
DC Წინასწარი Cu ბინა |
I F |
|
2000 |
Ა |
Პიკი Წინასწარი Cur ქირაობა |
I FRM |
t პ =1ms |
4000 |
Ა |
Სიძლიერის დენი |
I FSM |
V R =0V,T vj =125 ° C, t პ =10ms, ნახევარი-წერტილი |
14000 |
Ა |
IGBT მოკლე ციკლის SOA |
t psc |
V CC =3400V, V CEM Ჩიპი ≤4500V V Გენერალური საწარმოები ≤15V,T vj ≤125 ° C |
10 |
μs |
Მაქსიმალური ჯუნქცია Температура |
T vj (მაქს ) |
|
125 |
°C |
Გადასასვლელი Მუშაობის ტემპერატურა |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
°C |
Კორპუსის ტემპერატურა |
T C |
|
-40~125 |
°C |
Შემადგენლითი ტემპერატურა |
T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
|
-40~70 |
°C |
Მონტაჟის ძალა |
F M |
|
60~75 |
kN |
IGBT მახასიათებლების მნიშვნელობები
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
Ღირებულება |
Ერთეული |
|||
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
|||||
Კოლექტორი-Emitter გაწყვეტის ძაბვა |
V(BR)CES |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ |
4500 |
|
|
V |
|
Კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა |
VCE (სატ) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25℃ |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj=125℃ |
|
3.35 |
3.85 |
V |
|||
Კოლექტორი-Emitter გაწყვეტის მიმდინარე |
ICES |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25℃ |
|
|
1 |
mA |
Tvj=125℃ |
|
15 |
100 |
mA |
|||
Გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე |
IGES |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ |
-500 |
|
500 |
nA |
|
Ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა |
VGE ((თ) |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ |
6.7 |
|
7.7 |
V |
|
Კარიბჭის გადასახადი |
Სათაო ოფისი |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
μC |
|
Შეყვანის სიმძლავრე |
Კაი |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ |
|
213 |
|
nF |
|
Გამოსავალი გამტარუნარიანობა |
Coes |
|
15.3 |
|
nF |
||
Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე |
Კრეს |
|
4.7 |
|
nF |
||
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა |
RGint |
|
|
0 |
|
ω |
|
Ჩართვის შეფერხების დრო |
თსს |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, CGE=330nF, LS=140nH, Ინდუქტიური დატვირთვა |
Tvj=25℃ |
|
1100 |
|
n |
Tvj=125℃ |
|
900 |
|
n |
|||
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
ტრ |
Tvj=25℃ |
|
400 |
|
n |
|
Tvj=125℃ |
|
450 |
|
n |
|||
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
ტდ (((გამოხურული) |
Tvj=25℃ |
|
3800 |
|
n |
|
Tvj=125℃ |
|
4100 |
|
n |
|||
Შემოდგომის დრო |
tf |
Tvj=25℃ |
|
1200 |
|
n |
|
Tvj=125℃ |
|
1400 |
|
n |
|||
Ჩართვის ენერგია |
Ეონ |
Tvj=25℃ |
|
14240 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
15730 |
|
mJ |
|||
Გამორთვის ენერგია |
Ეოფ |
Tvj=25℃ |
|
6960 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
8180 |
|
mJ |
|||
Კოროტკი წრის ძრავი |
ISC |
VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM CHIP≤4500V |
|
8400 |
|
Ა |
Დიოდის მახასიათებლების მნიშვნელობები
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
Ღირებულება |
Ერთეული |
|||
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
|||||
Წინამავალი ძაბვა |
VF |
IF=2000A |
Tvj=25℃ |
|
2.60 |
|
V |
Tvj=125℃ |
|
2.85 |
|
V |
|||
Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე |
Ირ |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, Ინდუქტიური დატვირთვა |
Tvj=25℃ |
|
1620 |
|
Ა |
Tvj=125℃ |
|
1970 |
|
Ა |
|||
Უკუღმართი აღდგენის დატვირთვა |
Კრრ |
Tvj=25℃ |
|
1750 |
|
uC |
|
Tvj=125℃ |
|
2700 |
|
uC |
|||
Უკუღმართი აღდგენის დრო |
trr |
Tvj=25℃ |
|
4.0 |
|
აშშ |
|
Tvj=125℃ |
|
5.1 |
|
აშშ |
|||
Უკუღმართი აღდგენის ენერგიის დაკარგვა |
Ერეკი |
Tvj=25℃ |
|
2350 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
3860 |
|
mJ |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.