ყველა კატეგორია

IGBT დისკრეტული

IGBT დისკრეტული

მთავარი გვერდი /  პროდუქტები /  IGBT დისკრეტული

IDG75X12T2, IGBT დისკრეტული, STARPOWER

1200V,75A

Brand:
STARPOWER
Spu:
DG75X12T2
  • შესავალი
შესავალი

მნიშვნელოვანი გაფრთხილება :F ან მეტი IGBT დისკრეტული , გთხოვთ გამოგვიგზავნოთ ელ-ფოსტა.

მახასიათებლები

  • დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • დაბალი გადართვის დანაკარგი
  • მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD

ტიპიური აპლიკაციები

  • ინვერტორი ძრავის წამყვანი
  • AC და DC სერვო მძღოლი ამპლიფ იერ
  • უწყვეტი ენერგიის მომარაგება

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

I CM

პულსირებული კოლექციონერი დიდება T შეზღუდული ნა T vjmax

225

D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

852

W

დიოდი

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

75

I FM

პულსირებული კოლექციონერი დიდება T შეზღუდული ნა T vjmax

225

დისკრეტული

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-55 დან +150

O C

T s

სადნობი ტემპერატურა, 1.6mm f დან კორპუსისთვის 10ს

260

O C

IGBT მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =75A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =75A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.10

I C =75A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

2.20

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =3.00 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

250

μA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

100

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

2.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

6.58

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

0.40

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.19

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

0.49

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =75A, r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=40nH,

T vj =25 O C

41

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

87

n

T F

შემოდგომის დრო

255

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

12.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

3.6

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =75A, r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=40nH,

T vj =150 O C

46

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

164

n

T F

შემოდგომის დრო

354

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

17.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

6.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =75A, r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=40nH,

T vj =175 O C

46

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

167

n

T F

შემოდგომის დრო

372

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

18.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

6.7

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

300

დიოდი მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.75

2.20

V

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =15 0O C

1.75

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =17 5O C

1.75

trr

დიოდი საპირისპირო აღდგენის დრო

V r =600 ვოლტი,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 V, Ls=40nH,

T vj =25 O C

267

n

Q r

აღდგენილი გადასახადი

4.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

22

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

1.1

mJ

trr

დიოდი საპირისპირო აღდგენის დრო

V r =600 ვოლტი,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 V, Ls=40nH,

T vj =150 O C

432

n

Q r

აღდგენილი გადასახადი

9.80

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

33

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

2.7

mJ

trr

დიოდი საპირისპირო აღდგენის დრო

V r =600 ვოლტი,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 V, Ls=40nH,

T vj =175 O C

466

n

Q r

აღდგენილი გადასახადი

11.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

35

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.1

mJ

დისკრეტული მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.176 0.371

კვ/ვ

r thJA

ჯუნქცია-კ გარემოს

40

კვ/ვ

მიიღეთ უფასო ციფრი

ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად შესაბამის იქნება.
Email
Name
Company Name
Message
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

შეადგინეთ ციფრი

მიიღეთ უფასო ციფრი

ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად შესაბამის იქნება.
Email
Name
Company Name
Message
0/1000