H125KPU, ფაზის კონტროლის თირისტორი

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj(°C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=55 。C

90

2800

ა

IDRM IRRM

განმეორებითი პიკი დიდება

VDRM-ზე tp= 10 მს VRRM-ზე tp= 10 მს

90

700

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10 მს ნახევარი სინუსოიდური ტალღა VR=0.6VRRM

90

40

KA

I 2T

I 2დრო ფუზირების კოორდინაციისთვის

8000

103ა 2s

VTO

საფეხური ძაბვა

90

0.92

V

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.32

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

V

dv/dt

კრიტიკული ზრდის სიჩქარე O გამორთული მდგომარეობის f ვოლტი

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μS

di/dt

კრიტიკული ზრდის სიჩქარე E ჩართული მდგომარეობაში დიდება

VDM=67%VDRM,

გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μS

კრრ

აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

90

6500

μC

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

I H

შენარჩუნების მიმდინარე

25

200

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

90

0.3

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციისგან კორპუსამდე

ორმხრივი გაგრილება

კლამპირების ძალა 120kN

0.004

。C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსი თბილსასუფთავე

0.001