H100KFM, არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj(°C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC=55°C

125

4500

ა

TC=70°C

125

3800

ა

VDRM

განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

125

1000

3000

V

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

500

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

50

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

12500

103A2s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

1.58

V

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.15

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

V

101

25

2.00

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM 4000A-მდე

კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μS

კრრ

აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

µC

Tq

სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

µs

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.5

V

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1500

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ორმაგი მხარის გაგრილება

0.005

°C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.0015

FM

მონტაჟის ძალა

81

108

კნ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

წონა

1880

g

კონტური

KT100cT