GD820HTX75P6HBT

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

820

ა

I C

კოლექტორის დენი @ T F =85 O C

450

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1640

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T ჯ =175 O C

884

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

820

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1640

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10 წამით პერიოდში 30 წამით, გამოჩენა მაქსიმალურად 3000-ჯერ გავლენა ცხოვრების განმავლობაში

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.25

1.50

V

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

1.35

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 O C

1.40

I C =820A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.55

I C =820A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 O C

1.90

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =9.60 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.0

5.7

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =175 O C

3.5

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

42.1

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.80

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

1.18

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V გენერალური საწარმოები =-8...+15 ვოლტი

3.01

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A, r g =2.4Ω, L s =24 nH ,V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T ჯ =25 O C

126

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

639

n

T F

შემოდგომის დრო

149

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

17.3

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

25.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A, r g =2.4Ω, L s =24 nH ,V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T ჯ =150 O C

136

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

715

n

T F

შემოდგომის დრო

221

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

22.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

31.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A, r g =2.4Ω, L s =24 nH ,V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

T ჯ =175 O C

138

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

739

n

T F

შემოდგომის დრო

227

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

24.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

32.6

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

5100

ა

T ჯ =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

T პ ≤3μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.40

1.65

V

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.35

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75O C

1.30

I F =820A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.70

I F =820A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75O C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=7070A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =24 nH ,T ჯ =25 O C

16.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

254

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

5.03

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=6150A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =24 nH ,T ჯ =150 O C

36.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

320

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

9.49

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=6010A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =24 nH ,T ჯ =175 O C

40.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

338

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

10.5

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.75

mΩ

პ

მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40 O C

T საყრდენი პლატა >40 O C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

ბარი

r თი-ი-ფ

გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C

0.103 0.169

0.118 0.194

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

g

წონა of მოდული

750

g