GD800HFX120C6HA,IGBT მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =100 O C

800

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

5172

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

800

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.95

2.40

V

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.30

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.40

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

62.1

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

1.74

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.66

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =40 nH ,T ჯ =25 O C

266

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

98

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

394

n

T F

შემოდგომის დრო

201

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

108

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

73.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =40 nH ,T ჯ =125 O C

280

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

115

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

435

n

T F

შემოდგომის დრო

275

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

153

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

91.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =40 nH ,T ჯ =150 O C

282

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

446

n

T F

შემოდგომის დრო

290

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

165

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

94.4

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

2.00

2.45

V

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

2.15

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

2.20

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =40 nH ,T ჯ =25 O C

48.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

264

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =40 nH ,T ჯ =125 O C

95.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

291

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

35.3

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =40 nH ,T ჯ =150 O C

107

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

293

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

38.5

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.029 0.050

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.028 0.049 0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

g

წონა of მოდული

350

g