GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =95 O C

1280

800

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1600

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

3191

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

800

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.30

1.75

V

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

1.45

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

1.50

I C =800A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.55

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =32.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.5

6.1

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.38

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

156

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

1.10

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-8...+15 ვოლტი

10.3

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =25 O C

338

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

174

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1020

n

T F

შემოდგომის დრო

100

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

65.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

88.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =125 O C

398

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

203

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1140

n

T F

შემოდგომის დრო

183

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

96.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

109

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =150 O C

413

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

213

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1140

n

T F

შემოდგომის დრო

195

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

105

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

113

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, r g =1.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =175 O C

419

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

223

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1142

n

T F

შემოდგომის დრო

205

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

110

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

115

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 8μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3300

ა

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.85

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.85

I F =800A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.85

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =25 O C

28.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

311

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

13.9

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =125 O C

56.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

378

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

23.7

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =150 O C

66.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

395

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.7

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =175 O C

72.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

403

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

28.6

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.047 0.083

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.055 0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

320

g