ყველა კატეგორია

IGBT მოდული 1700V

IGBT მოდული 1700V

მთავარი გვერდი /  პროდუქტები /  IGBT მოდული /  IGBT მოდული 1700V

GD75HFX170C1S,IGBT მოდული,STARPOWER

1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD75HFX170C1S
  • შესავალი
  • კონტური
  • ექვივალენტური სქემა
შესავალი

მოკლე შესავალი

IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER . 1700V 75ა.

მახასიათებლები

  • დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა 175 °C
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური გამოყენებები

  • ინვერტორი ძრავის წამყვანი
  • ცვლადი და ცალკეული დენის სერვოძრავის გამაძლიერებელი
  • უწყვეტი დენის მიწოდება

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t =1ms

150

D

მაქსიმალური ენერგია გამოტაცია @ T vj =175 O C

539

W

დიოდი

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

75

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t =1ms

150

მოდული

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

IGBT მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =75A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =75A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =75A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =3.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

8.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

9.03

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.22

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.71

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =75A, r g =6.8Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =60 nH ,T vj =25 O C

237

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

59

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

314

n

T F

შემოდგომის დრო

361

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

25.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

9.5

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =75A, r g =6.8Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =60 nH ,T vj =125 O C

254

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

70

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

383

n

T F

შემოდგომის დრო

524

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

33.3

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

15.1

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =75A, r g =6.8Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =60 nH ,T vj =150 O C

257

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

396

n

T F

შემოდგომის დრო

588

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

36.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

16.6

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

დიოდი მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =12 5O C

1.90

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =60 nH ,T vj =25 O C

16.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

58

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

7.2

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =60 nH ,T vj =125 O C

30.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

64

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

15.8

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =60 nH ,T vj =150 O C

31.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

64

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.2

mJ

მოდული მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.65

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.278 0.467

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.160 0.268 0.050

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

150

g

კონტური

ექვივალენტური სქემა

მიიღეთ უფასო ციფრი

ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად შესაბამის იქნება.
Email
Name
Company Name
Message
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

შეადგინეთ ციფრი

მიიღეთ უფასო ციფრი

ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად შესაბამის იქნება.
Email
Name
Company Name
Message
0/1000