GD750HFA120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =100 O C

750

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1500

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

3125

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

900

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1500

ა

I FSM

წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T vj = 25O C @ ტ vj =150 O C

3104

2472

ა

I 2T

I 2თ- ღირებულება ,T პ =10 Ms @ T vj =25 O C @ ტ vj =150 O C

48174

30554

ა 2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =750A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.35

1.85

V

I C =750A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

1.55

I C =750A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.55

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

85.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.45

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

6.15

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A,

r g =0.5Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =40 nH ,T vj =25 O C

238

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

622

n

T F

შემოდგომის დრო

74

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

68.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

52.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A, r g =0.5Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =40 nH ,T vj =125 O C

266

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

89

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

685

n

T F

შემოდგომის დრო

139

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

88.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

67.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A, r g =0.5Ω,

V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =40 nH ,T vj =175 O C

280

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

715

n

T F

შემოდგომის დრო

166

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

102

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

72.7

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 8μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

ა

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =750A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

I F =750A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.65

I F =750A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T vj =25 O C

79.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

369

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

23.3

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T vj =125 O C

120

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

400

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

39.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8V, L s =40 nH ,T vj =175 O C

151

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

423

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

49.7

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.048 0.088

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT )ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.028 0.051 0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

g

წონა of მოდული

350

g