IGBT მოდული 1200V

GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER

1200V 720A დამატება:P6

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD720HTA120P6HLT

შესავალი
კონტური
ექვივალენტური სქემა

შესავალი

მოკლე შესავალი

IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER . 1200V 720ა.

მახასიათებლები

დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
დაბალი გადასვლის დანაკარგები
4μs მოკლე გზის შესაძლებლობა
VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
განშლილი სრული ფინის ფუძე Si3N4AMB ტექნოლოგიას გამოყენებით

ტიპიური გამოყენებები

ავტომობილების გამოყენება
ჰიბრიდული და ელექტრო ავტომობილი
ინვერტორი ძრავის წამყვანი

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

სიმბოლო	აღწერა	მნიშვნელობები	UNIT
V CES	კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა	1200	V
V გენერალური საწვავის სისტემა	ღობე-გამომცემის ძაბვა	±20	V
I CN	განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა	720	ა
I C	კოლექტორის დენი @ T F =65 O C	600	ა
I CM	პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms	1440	ა
პ D	მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T vj =175 O C	1204	W

დიოდი

სიმბოლო	აღწერა	მნიშვნელობები	UNIT
V RRM	განმეორებადი პიკის საპირისპირო ვოლტა გენერალური საწარმოები	1200	V
I FN	განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა	720	ა
I F	დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა	600	ა
I FM	დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms	1440	ა

მოდული

სიმბოლო	აღწერა	ღირებულება	UNIT
T vjmax	მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა	175	O C
T vjop	მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი 10-იანებისათვის პერიოდში 30 წლის ასაკში, შემთხვევა მაქსიმუმ 3000-ჯერ სიცოცხლის განმავლობაში მე	-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე	O C
T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო	შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი	-40-დან +125-მდე	O C
V ISO	იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ	3000	V

IGBT მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	გამოცდის პირობები	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
V CE ((sat)	შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა	I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C		1.50		V
		I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C		1.80
		I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C		1.85
		I C =720A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C		1.60
		I C =720A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C		2.05
V გენერალური საწარმოები (th )	ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი	I C =15.6 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C		6.0		V
I CES	კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება	V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I გენერალური საწვავის სისტემა	კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება	V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
r გინტი	შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა			1.67		Ω
C ies	შეყვანის სიმძლავრე	V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V		48.7		NF
C oes	გამოსავალი გამტარუნარიანობა			1.55		NF
C res	საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა			0.26		NF
Q g	კარიბჭის გადასახადი	V CE =800V,I C =600A, V გენერალური საწარმოები =-8...+15 ვოლტი		3.52		μC
T D (ჩართული )	ჩართვის შეფერხების დრო	V CC =800V,I C =600A, r გონ =3.0Ω, r გოფ =1.0Ω, L s =24nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =25 O C		208		n
T r	ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ			65		n
T d(off)	გამორთვა დაყოვნების დრო			505		n
T F	შემოდგომის დრო			104		n
E ჩართული	ჩართვა გადაღება დანარჩენი			77.7		mJ
E გათიშული	გამორთვის გადართვა დანარჩენი			62.2		mJ
T D (ჩართული )	ჩართვის შეფერხების დრო	V CC =800V,I C =600A, r გონ =3.0Ω, r გოფ =1.0Ω, L s =24nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =150 O C		225		n
T r	ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ			75		n
T d(off)	გამორთვა დაყოვნების დრო			567		n
T F	შემოდგომის დრო			191		n
E ჩართული	ჩართვა გადაღება დანარჩენი			110		mJ
E გათიშული	გამორთვის გადართვა დანარჩენი			83.4		mJ
T D (ჩართული )	ჩართვის შეფერხების დრო	V CC =800V,I C =600A, r გონ =3.0Ω, r გოფ =1.0Ω, L s =24nH, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, T vj =175 O C		226		n
T r	ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ			77		n
T d(off)	გამორთვა დაყოვნების დრო			583		n
T F	შემოდგომის დრო			203		n
E ჩართული	ჩართვა გადაღება დანარჩენი			118		mJ
E გათიშული	გამორთვის გადართვა დანარჩენი			85.9		mJ
I SC	ს.კ. მონაცემები	T პ ≤4μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		2600		ა

დიოდი მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	გამოცდის პირობები	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
V F	დიოდი წინ ვოლტი	I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C		1.95		V
		I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C		1.95
		I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C		1.90
		I F =720A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C		2.05
		I F =720A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C		2.05
Q r	აღდგენილი გადასახადი	V r =800V,I F =600A, -di/dt=8281A/μs, L s =24n H, V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =25 O C		44.3		μC
I RM	პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი			346		ა
E რეკ	საპირისპირო აღდგენა ენერგია			16.2		mJ
Q r	აღდგენილი გადასახადი	V r =800V,I F =600A, -დი/დტ=6954A/μs, L s =24n H, V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =150 O C		73.4		μC
I RM	პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი			385		ა
E რეკ	საპირისპირო აღდგენა ენერგია			27.8		mJ
Q r	აღდგენილი გადასახადი	V r =800V,I F =600A, -დი/დტ=6679A/μs, L s =24n H, V გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =175 O C		80.7		μC
I RM	პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი			392		ა
E რეკ	საპირისპირო აღდგენა ენერგია			30.7		mJ

NTC მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	გამოცდის პირობები	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
r 25	ნომინირებული წინააღმდეგობა			5.0		kΩ
∆R/R	გადახრა of r 100	T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
პ 25	ენერგია გამოტაცია				20.0	მვთ
B 25/50	B-მასპინძელი	r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]		3375		კ
B 25/80	B-მასპინძელი	r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]		3411		კ
B 25/100	B-მასპინძელი	r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]		3433		კ

მოდული მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო	პარამეტრი	მინ.	თპ.	მაქსიმალური	UNIT
L CE	ცარიელი ინდუქტენტობა		8		nH
r CC+EE	მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე		0.75		mΩ
პ	მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი T საყრდენი პლატა <40 O C T საყრდენი პლატა >40 O C (აბსოლუტური წნევა)			2.5 2.0	ბარი
r თი-ი-ფ	გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )გამაგრილებელი სითხე (დი-ზე) ოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C		0.072 0.104	0.083 0.120	კვ/ვ
M	ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მ4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m
g	წონა of მოდული		750		g