IGBT მოდული 1700V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექციონერი დიდება @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1069

600

ა

I CM

პულსირებული კოლექციონერი დიდება T პ =1 Ms

1200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგია გამოტაცია @ T ჯ =175 O C

4166

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

I F

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

600

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა მოთმინება

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 რომ +150

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 რომ +125

O C

V ISO

იზოლაცია ვოლტი RMS ,f=50 ჰზ ,t=1 მნ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE (მჯდომარე )

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.85

2.20

V

I C =600A, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.25

I C =600A, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 12.0mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები ,T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექტორის გათიშვა

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V,

T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.1

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V, f=1 მჰზ ,

V გენერალური საწარმოები =0V

72.3

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.75

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

5.66

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900 ვოლტი, I C =600A, r g = 1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

160

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

67

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

527

n

T F

შემოდგომის დრო

138

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

154

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

132

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900 ვოლტი, I C =600A, r g = 1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

168

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

80

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

585

n

T F

შემოდგომის დრო

168

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

236

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

189

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900 ვოლტი, I C =600A, r g = 1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

192

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

80

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

624

n

T F

შემოდგომის დრო

198

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

259

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

195

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =600A, V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =600A, V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ = 125O C

1.90

I F =600A, V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ = 150O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900 ვოლტი, I F =600A,

-დი /dt =6700A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

153

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

592

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

76.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900 ვოლტი, I F =600A,

-დი /dt =6700A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C

275

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

673

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

150

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900 ვოლტი, I F =600A,

-დი /dt =6700A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 O C

299

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

690

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

173

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B- ღირებულება

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B- ღირებულება

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B- ღირებულება

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჟჲ ქპ

1.10

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (მდე IGBT )

გადასასვლელი -რომ -კეისი (მდე დიოდი )

0.036

0.073

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (მდე IGBT )

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (მდე დიოდი )

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით)

0.027

0.055

0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, სქრუ M6 დაყენება ტორქი , სქრუ M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

g

წონა მოდული

350

g