GD600HFX120C2SAD_B20 , IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1096

600

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

3947

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

600

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.70

2.15

V

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.05

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.15

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.25

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

64.7

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

1.88

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

5.38

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, r g = 1,5Ω, L s =50 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 O C

314

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

105

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

527

n

T F

შემოდგომის დრო

151

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

63.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

53.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, r g = 1,5Ω, L s =50 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 O C

350

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

591

n

T F

შემოდგომის დრო

315

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

96.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

72.2

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, r g = 1,5Ω, L s =50 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =150 O C

359

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

604

n

T F

შემოდგომის დრო

328

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

105

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

75.6

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.65

2.10

V

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.65

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.60

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L s =50nH, V გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =25 O C

38.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

313

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

10.8

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =600A,

-დი/მუ=4440A/μs, L s =50nH, V გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =125 O C

76.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

368

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

22.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =600A,

-დი/მუ=4240A/μs, L s =50nH, V გენერალური საწარმოები =-15V,T vj =150 O C

88.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

387

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

26.2

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.42

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.038 0.068

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.056 0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

320

g