GD600HFX120C2SA , IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

925

600

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

3000

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.65

2.00

V

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =600A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.25

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

60.8

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

1.84

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.64

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, r g =1.2Ω, L s =34 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 O C

339

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

468

n

T F

შემოდგომის დრო

168

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

63.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

56.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, r g =1.2Ω, L s =34 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125 O C

418

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

567

n

T F

შემოდგომის დრო

269

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

108

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

72.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, r g =1.2Ω, L s =34 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150 O C

446

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

151

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

602

n

T F

შემოდგომის დრო

281

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

123

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

78.2

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.85

2.30

V

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

1.90

I F =600A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =34 nH ,T ჯ =25 O C

49.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

300

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

24.1

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =34 nH ,T ჯ =125 O C

85.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

314

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

33.8

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =34 nH ,T ჯ =150 O C

102

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

318

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

36.8

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.050 0.080

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.033 0.052 0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g