GD400CLX120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

636

400

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

2083

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

400

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.75

2.20

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.00

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =14.4 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

37.3

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.04

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

2.80

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =25 o C

223

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

49

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

334

n

t f

Შემოდგომის დრო

190

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

28.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =125 o C

230

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

54

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

385

n

t f

Შემოდგომის დრო

300

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

29.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

41.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =150 o C

228

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

57

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

393

n

t f

Შემოდგომის დრო

315

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

32.3

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

42.9

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =25 o C

33.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

374

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.6

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =125 o C

67.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

446

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

28.2

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი/დტ=6880A/μs, L S =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =150 o C

75.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

452

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

31.4

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.072 0.113

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.023 0.036 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g