IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

339

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

1456

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

75

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ = 1ms

150

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

650

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =95 O C

158

100

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

441

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

650

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

100

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ = 1ms

200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C = 100A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =25 O C

1.40

1.85

V

I C = 100A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =125 O C

1.65

I C = 100A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =150 O C

1.70

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =5.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.8

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

20.7

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.58

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

1.56

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C = 100A, r g = 1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

142

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

25

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

352

n

T F

შემოდგომის დრო

33

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

1.21

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

3.90

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C = 100A, r g = 1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

155

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

29

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

440

n

T F

შემოდგომის დრო

61

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.02

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

5.83

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C = 100A, r g = 1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

161

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

30

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

462

n

T F

შემოდგომის დრო

66

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.24

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

6.49

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.65

I F =75A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

8.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

122

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

2.91

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

17.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

143

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

5.72

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

19.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

152

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.30

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C = 100A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =25 O C

1.45

1.90

V

I C = 100A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =125 O C

1.60

I C = 100A,V გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =150 O C

1.70

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 1.60mA, V CE =V გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

11.6

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.23

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

0.69

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C = 100A, r g =3.3Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

44

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

20

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

200

n

T F

შემოდგომის დრო

28

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

1.48

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

2.48

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C = 100A, r g =3.3Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

48

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

24

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

216

n

T F

შემოდგომის დრო

40

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.24

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

3.28

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C = 100A, r g =3.3Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

52

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

24

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

224

n

T F

შემოდგომის დრო

48

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

2.64

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

3.68

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤6μs,V გენერალური საწარმოები = 15V,

T ჯ =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650 ვოლტი

500

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F = 100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.55

2.00

V

I F = 100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.50

I F = 100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.45

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

3.57

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

99

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

1.04

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

6.49

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

110

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

1.70

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

7.04

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

110

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

1.81

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადახრა-კეისზე (თითოეულ T1, T4 IGBT)

კავშირი კერძოდ (თითოეული D1, D4 დიოდისთვის) de)

კავშირი კერძოდ (თითოეული T2-სთვის) T3 IGBT)

კავშირი-კერძო (თითოეულ D2,D3 დიოდისთვის) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო T1,T4 IGBT)

კერძო-გამყიდველი (თითოეულ D1,D4 დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო T2,T3 IGBT)

კერძო-გამყიდველი (თითოეულ D2,D3 დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

კვ/ვ

F

მონტაჟის ძალა თითოეულ კლამპისთვის

40

80

n

g

წონა of მოდული

39

g