IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD200SGU120C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C =80 °C

320

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 Ms

400

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინასწარი დენი @ T C =80 °C

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 50°C

1645

W

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

დაყენება ტორქი

სიგნალის ტერმინალი შრიფტი:M4

1.1 დან 2.0

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0-დან 5.0

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =2.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

3.10

3.55

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

3.45

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

577

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

540

n

T F

შემოდგომის დრო

123

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

16.3

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

12.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

609

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

121

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

574

n

T F

შემოდგომის დრო

132

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

22.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

16.2

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

16.9

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.51

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.61

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1800

ა

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A

T ჯ =25 °C

1.82

2.25

V

T ჯ =125 °C

1.92

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F =200A,

V r =600V,

r g =4.7Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

13.1

μC

T ჯ =125 °C

26.1

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

123

ა

T ჯ =125 °C

172

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

7.0

mJ

T ჯ =125 °C

12.9