GD200HFX120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =90 o C

297

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

937

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.75

2.20

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.00

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =5.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

18.6

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.52

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

1.40

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

120

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

26

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

313

n

t f

Შემოდგომის დრო

88

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

8.96

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

10.7

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

129

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

30

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

391

n

t f

Შემოდგომის დრო

157

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

15.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

16.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

129

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

34

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

411

n

t f

Შემოდგომის დრო

175

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

17.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

18.1

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

720

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.75

2.15

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C

18.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

239

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.08

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 o C

33.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

250

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

14.5

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 o C

38.4

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

259

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

R CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.25

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.160

0.206

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.036

0.046

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g