IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =100 O C

340

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

1190

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.75

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

20.7

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.58

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

1.55

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

150

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

330

n

T F

შემოდგომის დრო

93

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

9.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

11.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

161

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

412

n

T F

შემოდგომის დრო

165

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

20.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

17.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

161

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

433

n

T F

შემოდგომის დრო

185

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

22.4

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

19.1

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

2.40

2.90

V

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

1.95

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.80

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

20.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

160

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C

38.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

201

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

14.2

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 O C

44.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

212

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

15.6

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.126

0.211

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.032

0.053

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g