IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =65 O C

262

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =150 O C

1315

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

3.00

3.45

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

3.80

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =2.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

4.5

5.4

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.3

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

13.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.85

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

2.10

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

87

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

40

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

451

n

T F

შემოდგომის დრო

63

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

6.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

11.9

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

88

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

483

n

T F

შემოდგომის დრო

78

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

11.4

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

13.5

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =125 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1300

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.95

2.40

V

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 O C

2.00

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

13.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

236

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.6

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C

23.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

269

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

10.5

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.095

0.202

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.029

0.063

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g