GD200HFU120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =65 o C

262

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =150 o C

1315

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

3.00

3.45

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

3.80

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =2.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

4.5

5.4

6.5

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.3

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

13.0

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.85

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

2.10

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

87

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

40

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

451

n

t f

Შემოდგომის დრო

63

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

6.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

88

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

483

n

t f

Შემოდგომის დრო

78

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

11.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

13.5

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =125 o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1300

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.95

2.40

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 o C

2.00

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C

13.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

236

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.6

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 o C

23.0

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

269

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.095

0.202

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.029

0.063

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g