GD200HFQ120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

1181

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.00 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.8

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

21.6

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.59

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

1.68

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω, L s =45 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 O C

100

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

72

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

303

n

T F

შემოდგომის დრო

71

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

26.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

6.11

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω, L s =45 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 O C

99

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

325

n

T F

შემოდგომის დრო

130

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

33.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

8.58

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =4.7Ω, L s =45 nH , V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =150 O C

98

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

80

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

345

n

T F

შემოდგომის დრო

121

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

36.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

9.05

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =45 nH ,T vj =25 O C

19.4

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

96

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

5.66

mJ

Q r

აღდგენილი დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =45 nH ,T vj =125 O C

29.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

106

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.56

mJ

Q r

აღდგენილი დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, L s =45 nH ,T vj =150 O C

32.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

107

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

9.24

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.127 0.163

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.036 0.046 0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g