IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C = 100O C

309

200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 O C

1006

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =5.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

4.0

Ω

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g = 1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

150

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

330

n

T F

შემოდგომის დრო

93

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

11.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

11.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g = 1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

161

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

412

n

T F

შემოდგომის დრო

165

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

19.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

17.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g = 1. 1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

161

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

433

n

T F

შემოდგომის დრო

185

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

21.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

19.1

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.65

2.10

V

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.65

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150O C

1.65

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

17.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

228

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

7.7

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 O C

31.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

238

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

13.8

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 O C

36.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

247

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

15.2

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

ΔR/R

გადახრა of r 100

T C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

21

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა e, ტერმინალი ჩიპზე

1.80

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.149

0.206

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031

0.043

0.009

კვ/ვ

M

დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g