GD200CEX120C8SN,IGBT მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

ა

I CRM

განმეორებადი პიკი კოლექციონერი დიდება tp შეზღუდული ნა T vjop

400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

1293

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

200

ა

I FRM

განმეორებადი პიკი წინასწარი დიდება tp შეზღუდული ნა T vjop

400

ა

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.00

I C =200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.05

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

18.6

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.52

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

1.40

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =2.0Ω, Ls=50nH, V გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =25 O C

140

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

31

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

239

n

T F

შემოდგომის დრო

188

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

11.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

13.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =2.0Ω, Ls=50nH, V გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =125 O C

146

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

36

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

284

n

T F

შემოდგომის დრო

284

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

19.4

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

18.9

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, r g =2.0Ω, Ls=50nH, V გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =150 O C

148

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

294

n

T F

შემოდგომის დრო

303

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

21.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

19.8

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =25 O C

20.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

220

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

7.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =125 O C

34.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

209

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

12.9

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =150 O C

38.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

204

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

14.6

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.116 0.185

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.150 0.239 0.046

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.m

g

წონა of მოდული

200

g