GD150HFX170C1S, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =95 O C

229

150

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

815

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.85

2.30

V

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.25

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =6.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

5.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

18.1

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.44

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

1.41

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, r g =3.3Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =70 nH , T ჯ =25 O C

303

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

417

n

T F

შემოდგომის დრო

352

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

42.3

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

25.3

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, r g =3.3Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =70 nH ,T ჯ =125 O C

323

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

88

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

479

n

T F

შემოდგომის დრო

509

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

58.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

34.9

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, r g =3.3Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =70 nH ,T ჯ =150 O C

327

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

90

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

498

n

T F

შემოდგომის დრო

608

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

65.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

40.2

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

600

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

1.90

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =70 nH , T ჯ =25 O C

26.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

131

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

21.6

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =70nH, T ჯ =125 O C

48.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

140

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

40.1

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =70nH, T ჯ =150 O C

52.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

142

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

42.5

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.65

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.184 0.368

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.150 0.300 0.050

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

150

g