GD150HFU120C8SD, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =85 O C

238

150

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150 O C

1237

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

2.90

3.35

V

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

3.60

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =3.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.50

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

19.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.60

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

1.83

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =150A, r g =6.8Ω,Ls=35нH, V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 O C

183

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

73.8

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

438

n

T F

შემოდგომის დრო

33.0

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

12.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

5.31

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =150A, r g =6.8Ω,Ls=35нH, V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 O C

185

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

74

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

476

n

T F

შემოდგომის დრო

44.5

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

15.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

7.74

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35нH, V გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =25 O C

11.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

113

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

4.02

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35нH, V გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =125 O C

22.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

139

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.58

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.101 0.257

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.028 0.071 0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g