GD150HFU120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =85 O C

241

150

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150 O C

1262

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

2.90

3.35

V

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

3.60

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =3.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.50

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

19.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.60

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

1.83

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =150A, r g =6.8Ω,Ls=48nH, V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 O C

74

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

401

n

T F

შემოდგომის დრო

31

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

19.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

3.09

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =150A, r g =6.8Ω, Ls=48nH, V გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 O C

61

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

444

n

T F

შემოდგომის დრო

47

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

22.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

3.99

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, LS =48 nH ,T vj =25 O C

13.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

91

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

4.01

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15V, LS =48 nH ,T vj =125 O C

22.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

111

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.65

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.099 0.259

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.028 0.072 0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g