GD150HCX170C6SA ,IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

281

150

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

1136

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =150A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =6.00 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

4.3

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

18.1

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.44

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

1.41

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, r g =0.51Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =48 nH ,T vj =25 O C

206

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

337

n

T F

შემოდგომის დრო

331

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

39.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

21.7

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, r g =0.51Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =48 nH ,T vj =125 O C

232

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

54

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

422

n

T F

შემოდგომის დრო

514

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

55.3

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

32.7

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, r g =0.51Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =48 nH ,T vj =150 O C

239

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

57

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

442

n

T F

შემოდგომის დრო

559

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

60.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

34.9

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =1000 ვოლტი,

V CEM ≤1700V

600

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.95

I F =150A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.90

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =48 nH ,T vj =25 O C

42.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

142

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

22.3

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =48 nH ,T vj =125 O C

64.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

147

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

35.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =48 nH ,T vj =150 O C

72.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

148

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

38.8

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.132 0.209

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.029 0.047 0.009

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

g

წონა of მოდული

350

g