GD1200SGX170A3S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

2206

1200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

8.77

kW

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2400

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.85

2.20

V

I C =1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.25

I C =1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =48.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

145

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

3.51

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

11.3

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, r g =1.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

L s =65 nH ,T ჯ =25 O C

440

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

112

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1200

n

T F

შემოდგომის დრო

317

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

271

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

295

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, r g =1.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

L s =65 nH ,T ჯ =125 O C

542

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

153

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1657

n

T F

შემოდგომის დრო

385

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

513

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

347

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, r g =1.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

L s =65 nH ,T ჯ =150 O C

547

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

165

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1695

n

T F

შემოდგომის დრო

407

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

573

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

389

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

4800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =1200A,V გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =25℃

1.80

2.25

V

I F =1200A,V გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =125℃

1.90

I F =1200A,V გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =150℃

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V გენერალური საწარმოები =-9V, L s =65nH,T ჯ =25℃

190

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

844

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

192

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V გენერალური საწარმოები =-9V, L s =65nH,T ჯ =125℃

327

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

1094

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

263

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V გენერალური საწარმოები =-9V, L s =65nH,T ჯ =150℃

368

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

1111

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

275

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

12

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.19

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

17.1 26.2

K/kW

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT )ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

ელექტროენერგიის ტერმინალი შრიფტი:M4 ელექტროენერგიის ტერმინალი ბოლტი:M8 დამონტაჟების შრიფტი:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m

g

წონა of მოდული

1050

g