GD1200HFX170C3S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1965

1200

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2400

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

6.55

kW

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2400

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =1200A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =48.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.6

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

142

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

3.57

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

11.8

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, r გონ = 1,5Ω, r გოფ =3.3Ω, V გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

L s =110nH,T vj =25 O C

700

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

420

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1620

n

T F

შემოდგომის დრო

231

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

616

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

419

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, r გონ = 1,5Ω, r გოფ =3.3Ω, V გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

L s =110nH,T vj =125 O C

869

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

495

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

1976

n

T F

შემოდგომის დრო

298

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

898

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

530

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, r გონ = 1,5Ω, r გოფ =3.3Ω, V გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

L s =110nH,T vj =150 O C

941

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

508

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

2128

n

T F

შემოდგომის დრო

321

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

981

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

557

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C ,V CC =1000 ვოლტი,

V CEM ≤1700V

4800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =1200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 O C

1.80

2.25

V

I F =1200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =1200A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V გენერალური საწარმოები =-10V, L s =110nH,T vj =25 O C

217

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

490

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

108

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =1200A,

-დი/დტ=2070A/μs,V გენერალური საწარმოები =-10V, L s =110nH,T vj =125 O C

359

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

550

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

165

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =1200A,

-დი/დტ=1970A/μs,V გენერალური საწარმოები =-10V, L s =110nH,T vj =150 O C

423

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

570

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

200

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.37

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

22.9 44.2

K/kW

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მ4 ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M8 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

g

წონა of მოდული

1500

g