GD100PIX120C6SNA, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

511

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1600

V

I O

საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

100

ა

I FSM

წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T ჯ = 25O C @ ტ ჯ =150 O C

1150

880

ა

I 2T

I 2t-ღირებულება,t პ =10ms @ T ჯ =25 O C @ ტ ჯ =150 O C

6600

3850

ა 2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

100

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

308

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

25

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

50

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტერი, ბრეკი) მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =4.00 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

7.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

10.4

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.29

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.78

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =1.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

218

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

35

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

287

n

T F

შემოდგომის დრო

212

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

9.23

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

6.85

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =1.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

242

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

41

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

352

n

T F

შემოდგომის დრო

323

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

13.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

9.95

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =1.6Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

248

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

365

n

T F

შემოდგომის დრო

333

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

14.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

10.5

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.85

2.30

V

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

1.90

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 O C

5.89

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

103

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.85

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125 O C

13.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

109

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.64

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150 O C

15.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

109

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

7.39

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =100A, T ჯ =150 O C

0.95

V

I r

უკუქცევითი დენი

T ჯ =150 O C,V r =1600V

2.0

mA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =50A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =50A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =50A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =2.00 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

5.18

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.15

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.39

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =50A, r g =15Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

171

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

340

n

T F

შემოდგომის დრო

82

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

6.10

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

2.88

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =50A, r g =15Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

182

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

443

n

T F

შემოდგომის დრო

155

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

8.24

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

4.43

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =50A, r g =15Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

182

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

464

n

T F

შემოდგომის დრო

175

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

8.99

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

4.94

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

200

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =25A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.85

2.30

V

I F =25A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 O C

1.90

I F =25A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 O C

2.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

55

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

0.93

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125 O C

5.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

58

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

1.72

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150 O C

5.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

60

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

2.01

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

40

nH

r CC+EE r AA + CC ’

მოდული Lead Resista nce, ტერმინალი ჩიპს

4.00 3.00

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT -ინვერტორი )

კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდ-ინვერტერისთვის) ინვერტერი)

კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი)

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT -მუხრუჭი -ჩოპერი ) კაპიტალური წყარო-შემთხვევითი (თითოეული დიოდი-ბრეიკ-ჩოპ თითოეული)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )

კეის-გამყოფა (თითო დიოდი-შენახვა) ინვერტერი)

ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი)

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT -მუხრუჭი -ჩოპერი )კეის-გამყოფა (თითო დიოდი-გარბენივა) ჩოპერი) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

კვ/ვ

M

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g