GD100PFX170C6SG, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

161

100

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C

592

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1800

V

I O

საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

100

ა

I FSM

წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T ჯ = 25O C @ ტ ჯ =150 O C

1600

1400

ა

I 2T

I 2t-ღირებულება,t პ =10ms @ T ჯ =25 O C @ ტ ჯ =150 O C

13000

9800

ა 2s

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტორი) მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.85

2.20

V

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

2.25

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =4.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

7.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

12.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.29

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.94

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =46 nH , T ჯ =25 O C

257

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

47

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

377

n

T F

შემოდგომის დრო

382

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

24.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

16.7

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =46nH, T ჯ =125 O C

284

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

56

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

444

n

T F

შემოდგომის დრო

555

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

34.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

23.1

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =46nH, T ჯ =150 O C

286

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

60

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

465

n

T F

შემოდგომის დრო

636

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

38.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

26.1

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25O C

1.90

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1590A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =46 nH , T ჯ =25 O C

13.3

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

107

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.79

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1300A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =46nH, T ჯ =125 O C

25.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

111

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.6

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1230A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =46nH, T ჯ =150 O C

28.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

112

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

20.4

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I C =100A, T ჯ =150 O C

0.85

V

I r

უკუქცევითი დენი

T ჯ =150 O C,V r =1800V

3.0

mA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT -ინვერტორი ) კავშირი-კერძო (DIODE-ინვერტერის თვის ter) კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი)

0.253 0.424 0.289

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )კერძოდ-გამყოფის კავშირი (თითოეულ დიოდის მითითებით) nverter) ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.105 0.176 0.120 0.009

კვ/ვ

M

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g