1200V 100A, გადასამუშავებლად: C6
მოკლე შესავალი
IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER . 1200V 100ა.
მახასიათებლები
ტიპიური გამოყენებები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
UNIT |
V CES |
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1200 |
V |
V გენერალური საწვავის სისტემა |
ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =75 O C |
146 100 |
ა |
I CM |
პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms |
200 |
ა |
პ D |
მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150 O C |
771 |
W |
დიოდი
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
UNIT |
V RRM |
მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება |
1200 |
V |
I F |
დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა |
100 |
ა |
I FM |
დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
200 |
ა |
მოდული
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
UNIT |
T vjmax |
მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
150 |
O C |
T vjop |
მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +125-მდე |
O C |
T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი |
-40-დან +125-მდე |
O C |
V ISO |
იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ |
2500 |
V |
IGBT მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქსიმალური |
UNIT |
V CE ((sat) |
შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა |
I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C |
|
3.00 |
3.45 |
V |
I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C |
|
3.80 |
|
|||
V გენერალური საწარმოები (th ) |
ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი |
I C =4.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
I CES |
კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება |
V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C |
|
|
5.0 |
mA |
I გენერალური საწვავის სისტემა |
კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება |
V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C |
|
|
400 |
nA |
r გინტი |
შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური |
|
|
1.0 |
|
Ω |
C ies |
შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V |
|
6.50 |
|
NF |
C res |
საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
|
0.42 |
|
NF |
|
Q g |
კარიბჭის გადასახადი |
V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი |
|
1.10 |
|
μC |
T D (ჩართული ) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =9.1Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =48 nH ,T vj =25 O C |
|
38 |
|
n |
T r |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
50 |
|
n |
|
T d(off) |
გამორთვა დაყოვნების დრო |
|
330 |
|
n |
|
T F |
შემოდგომის დრო |
|
27 |
|
n |
|
E ჩართული |
ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
|
8.92 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
|
2.06 |
|
mJ |
|
T D (ჩართული ) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =9.1Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =48 nH ,T vj =125 O C |
|
37 |
|
n |
T r |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
50 |
|
n |
|
T d(off) |
გამორთვა დაყოვნების დრო |
|
362 |
|
n |
|
T F |
შემოდგომის დრო |
|
43 |
|
n |
|
E ჩართული |
ჩართვა გადაღება დანარჩენი |
|
10.7 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
|
3.69 |
|
mJ |
|
I SC |
ს.კ. მონაცემები |
T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C ,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V |
|
650 |
|
ა |
დიოდი მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქსიმალური |
UNIT |
V F |
დიოდი წინ ვოლტი |
I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C |
|
1.90 |
|
|||
Q r |
აღდგენილი გადასახადი |
V r =600 ვოლტი,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =48 nH ,T vj =25 O C |
|
11.5 |
|
μC |
I RM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
|
101 |
|
ა |
|
E რეკ |
საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
|
4.08 |
|
mJ |
|
Q r |
აღდგენილი გადასახადი |
V r =600 ვოლტი,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი LS =48 nH ,T vj =125 O C |
|
19.0 |
|
μC |
I RM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
|
120 |
|
ა |
|
E რეკ |
საპირისპირო აღდგენა ენერგია |
|
7.47 |
|
mJ |
NTC მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქსიმალური |
UNIT |
r 25 |
ნომინირებული წინააღმდეგობა |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
გადახრა of r 100 |
T vj =100 O C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
პ 25 |
ენერგია გამოტაცია |
|
|
|
20.0 |
მვთ |
B 25/50 |
B-მასპინძელი |
r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))] |
|
3375 |
|
კ |
B 25/80 |
B-მასპინძელი |
r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))] |
|
3411 |
|
კ |
B 25/100 |
B-მასპინძელი |
r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))] |
|
3433 |
|
კ |
მოდული მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო |
პარამეტრი |
მინ. |
თპ. |
მაქსიმალური |
UNIT |
L CE |
ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
21 |
|
nH |
r CC+EE |
მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე |
|
2.60 |
|
mΩ |
r thJC |
გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი) |
|
|
0.162 0.401 |
კვ/ვ |
r thCH |
კეისი -რომ -სანი (perIGBT ) კოლოფიდან მდინარეს (დიოდების მიხედვით) კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის) |
|
0.051 0.125 0.009 |
|
კვ/ვ |
M |
დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6 |
3.0 |
|
6.0 |
N.m |
g |
წონა of მოდული |
|
300 |
|
g |
ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.