GD100HFX170C1S, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

173

112

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგია გამოტაცია @ T vj =175 O C

666

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =4.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

7.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

12.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.29

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

0.94

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =25 O C

272

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

55

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

369

n

T F

შემოდგომის დრო

389

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

28.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

16.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =125 O C

296

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

66

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

448

n

T F

შემოდგომის დრო

576

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

40.1

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

24.1

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, r g =4.7Ω,V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =150 O C

302

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

69

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

463

n

T F

შემოდგომის დრო

607

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

43.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

25.7

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =25 O C

23.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

85

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

11.5

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =125 O C

36.6

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

88

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.1

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =150 O C

46.2

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

91

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

24.6

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.65

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.225 0.391

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT )ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.158 0.274 0.050

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

150

g