GD100HFQ120C1SD, IGBT მოდული, STARPOWER

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ T C =100 O C

162

100

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 O C

595

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =100A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =4.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

7.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V გენერალური საწარმოები =0V

10.8

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.30

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.84

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =5.1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =45 nH ,T vj =25 O C

59

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

38

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

209

n

T F

შემოდგომის დრო

71

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

11.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

3.15

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =5.1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =45 nH ,T vj =125 O C

68

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

243

n

T F

შემოდგომის დრო

104

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

14.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

4.36

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, r g =5.1Ω, V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L s =45 nH ,T vj =150 O C

71

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

46

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

251

n

T F

შემოდგომის დრო

105

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

15.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

4.63

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

400

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =100A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =45 nH ,T vj =25 O C

7.92

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

46.4

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

2.25

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =45 nH ,T vj =125 O C

15.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

54.5

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

5.08

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L s =45 nH ,T vj =150 O C

18.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

58.9

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.67

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

r CC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჩიპზე

0.75

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (perIGBT ) ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.252 0.446

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (perIGBT )კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) კეისზე-თბოსინქზე (თითო მოდული)

0.157 0.277 0.050

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

g

წონა of მოდული

150

g