ყველა კატეგორია

IGBT მოდული 750V

IGBT მოდული 750V

მთავარი გვერდი /  პროდუქცია /  IGBT მოდული /  IGBT მოდული 750V

GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

პრეპარატის ბროშურა:გადმოწერეთ

  • შესავალი
  • კონტური
  • ექვივალენტური სქემა
შესავალი

მოკლე შესავალი

IGBT მოდული ,წარმოებული STARPOWER . 750V 1000,P6 .

თვისებები

  • დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • დაბალი გადასვლის დანაკარგები
  • 6μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა 175 °C
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • განშერებული სპეციფიკაციის სისტემა Cu პინფინ ბაზა სი3N4 AMB ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური გამოყენებები

  • ავტომობილების გამოყენება
  • ჰიბრიდული და ელექტრო ავტომობილი
  • ინვერტორი ძრავის წამყვანი

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

I C

კოლექტორის დენი @ T F =125 O C

450

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t =1ms

2000

D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T vj =175 O C

1282

W

დიოდი

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t =1ms

2000

მოდული

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10 წამით პერიოდში 30 წამით, გამოჩენა მაქსიმალურად 3000-ჯერ გავლენა ცხოვრების განმავლობაში

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

D ჟრაპკა

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

9.0 9.0

მმ

D გასუფთავება

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

4.5 4.5

მმ

IGBT მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.10

1.35

V

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

1.10

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.60

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =12.9 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.2

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

66.7

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.50

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.35

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.74

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

r გონ =1.2Ω, r გოფ =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =25 O C

244

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

61

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

557

n

T F

შემოდგომის დრო

133

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

11.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

22.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

r გონ =1.2Ω, r გოფ =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =150 O C

260

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

636

n

T F

შემოდგომის დრო

226

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

16.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

32.2

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

r გონ =1.2Ω, r გოფ =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =175 O C

264

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

70

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

673

n

T F

შემოდგომის დრო

239

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

19.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

33.6

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

T ≤3μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

დიოდი მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.40

1.65

V

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.35

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.30

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.80

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =24 nH ,T vj =25 O C

18.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

303

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.72

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =24 nH ,T vj =150 O C

36.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

376

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.09

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =24 nH ,T vj =175 O C

40.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

383

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

9.01

mJ

NTC მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

მოდული მახასიათებლები T F =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.75

მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40 O C

T საყრდენი პლატა >40 O C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

ბარი

r თი-ი-ფ

გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) V/ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

g

წონა of მოდული

750

g

კონტური

ექვივალენტური სქემა

ფასის შესახებ უფასოდ

ჩვენი მწარმოელი (*)(*) გაკეთებს დაგეკავშირდებათ ახლაই.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
הודLOCKS📐
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

ფასის შესახებ

ფასის შესახებ უფასოდ

ჩვენი მწარმოელი (*)(*) გაკეთებს დაგეკავშირდებათ ახლაই.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
הודLOCKS📐
0/1000