GD1000HTA75P6HT

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

ა

I C

კოლექტორის დენი @ T F =125 O C

450

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2000

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T vj =175 O C

1282

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2000

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10 წამით პერიოდში 30 წამით, გამოჩენა მაქსიმალურად 3000-ჯერ გავლენა ცხოვრების განმავლობაში

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

D ჟრაპკა

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

9.0 9.0

მმ

D გასუფთავება

ტერმინალი Heatsink-სთვის ტერმინალი ტერმინალამდე

4.5 4.5

მმ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.10

1.35

V

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

1.10

I C =450A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.10

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.40

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.60

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =12.9 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.2

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

66.7

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.50

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.35

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.74

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

r გონ =1.2Ω, r გოფ =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =25 O C

244

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

61

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

557

n

T F

შემოდგომის დრო

133

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

11.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

22.8

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

r გონ =1.2Ω, r გოფ =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =150 O C

260

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

636

n

T F

შემოდგომის დრო

226

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

16.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

32.2

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A,

r გონ =1.2Ω, r გოფ =1.0Ω, V გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =175 O C

264

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

70

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

673

n

T F

შემოდგომის დრო

239

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

19.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

33.6

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 6μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

ა

T პ ≤3μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.40

1.65

V

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.35

I F =450A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.30

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.80

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =24 nH ,T vj =25 O C

18.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

303

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

3.72

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =24 nH ,T vj =150 O C

36.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

376

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

8.09

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L s =24 nH ,T vj =175 O C

40.1

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

383

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

9.01

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r 25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

გადახრა of r 100

T C =100 O C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

პ 25

ენერგია

გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

კ

B 25/80

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

კ

B 25/100

B-მასპინძელი

r 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

კ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.75

mΩ

პ

მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40 O C

T საყრდენი პლატა >40 O C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

ბარი

r თი-ი-ფ

გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

g

წონა of მოდული

750

g