GD1000HFA75N5HT

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

ა

I C

კოლექციონერი დიდება T vj =175 O C

680

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1360

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 O C T vj =175 O C

1086

W

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V RRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

I FN

განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

ა

I F

დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

680

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1360

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა

I C =680A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.25

1.50

V

I C =680A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

1.35

I C =680A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.40

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.45

I C =1000A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175 O C

1.70

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =9.60 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =25 O C

5.5

6.5

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T vj =175 O C

3.5

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

72.3

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.51

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა

0.32

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =680A, V გენერალური საწარმოები =-10…+15V

4.10

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =680A, r g =0.22Ω, L s =16 nH , V გენერალური საწარმოები =-10V/+15V,

T vj =25 O C

196

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

407

n

T F

შემოდგომის დრო

125

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

11.1

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

29.1

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =680A, r g =0.22Ω, L s =16 nH , V გენერალური საწარმოები =-10V/+15V,

T vj =150 O C

222

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

63

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

471

n

T F

შემოდგომის დრო

178

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

19.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

37.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =680A, r g =0.22Ω, L s =16 nH , V გენერალური საწარმოები =-10V/+15V,

T vj =175 O C

224

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

490

n

T F

შემოდგომის დრო

194

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

21.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

39.5

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤6μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

4000

ა

T vj =25 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

T პ ≤3μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ ვოლტი

I F =680A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

I F =680A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.60

I F =680A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.55

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 O C

1.80

I F =1000A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 O C

1.75

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =680A,

-დი/დტ=15030ა/μs,V გენერალური საწარმოები =-10V, L s =16 nH ,T vj =25 O C

19.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

458

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

6.10

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =680A,

-დი/დტ=12360ა/μs,V გენერალური საწარმოები =-10V, L s =16 nH ,T vj =150 O C

29.7

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

504

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

9.70

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =400V, I F =680A,

-დი/დტ=11740ა/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 10V, L s =16 nH ,T vj =175 O C

34.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

526

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

11.0

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

r

ნომინალური გამძლეობა

T C =0 O C

T C =150 O C

1000

1573

Ω Ω

T კრ

ტემპერატურული კოეფიციენტი nt

0.38

%/K

T SH

საკუთარი გათბობა

T C =0 O C

I M =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

5

nH

პ

მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

2.5

ბარი

r თი-ი-ფ

გადასასვლელი -რომ -გაგრილება სითხე (perIGBT )ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=8.0 dm 3/მნ ,T F =65 O C

0.080 0.115

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M5 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.m

g

წონა of მოდული

220

g