IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD300SGU120C2S

ერთეულები

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის მიმდინარე @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

ა

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

600

ა

IF

დიოდი უწყვეტი წინასწარი დენი @ TC=80℃

300

ა

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

600

ა

PD

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

მონტაჟის მომენტი

სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.1 დან 2.0

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0-დან 5.0-მდე

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

Tj=25°C

1200

V

ICES

კოლექტორის გათიშვა

დიდება

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

VGE ((თ)

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

IC=3.0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

V

VCE (სატ)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C

3.10

3.55

V

IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C

3.45

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =3.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

662

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

142

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

633

n

T F

შემოდგომის დრო

117

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

19.7

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

22.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, r g =3.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

660

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

143

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

665

n

T F

შემოდგომის დრო

137

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება დანარჩენი

24.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა დანარჩენი

28.4

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

25.3

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.25

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

0.91

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

2550

ა

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead

ოპერაციული წინააღმდეგობა,

ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =300A

T ჯ =25 °C

1.82

2.25

V

T ჯ =125 °C

1.95

Q r

აღდგენილი

დავალება

I F =300A,

V r =600V,

r g =3.3Ω,

V გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

29.5

μC

T ჯ =125 °C

42.3

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

210

ა

T ჯ =125 °C

272

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

16.4

mJ

T ჯ =125 °C

22.7

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

0.055

კვ/ვ

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.092

კვ/ვ

r θ CS

კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი)

0.035

კვ/ვ

წონა

წონა მოდული

300

g