GD1200SGL120C3S

1200V

GD1200SGL120C3S

Modul IGBT, 1200V 1200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD1200SGL120C3S

pengantar

pengantar

fitur

Kemampuan hubung singkat tinggi, membatasi diri hingga 6*IC
Kemampuan hubung singkat 10μs
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

aplikasi khas

Penggerak inverter AC
Catu daya mode switching
Mesin pengelasan elektronik

AbsoluteAku tidak tahu.maksimumAku tidak tahu.ratingAku tidak tahu.tc=25°CAku tidak tahu.kecualiAku tidak tahu.Jika tidakAku tidak tahu.diperhatikan

Aku tidak tahu.

Simbol	deskripsi		GD1200SGL120C3S	satuan
vCES	Tegangan kolektor-emitter		1200	v
vGES	Tegangan gerbang-emitter		±20	v
Akuc	Arus Kolektor	@ Tc=25°C @ Tc=Aku tidak tahu.100°C	1900	a
			1200
Akucm(1)	Arus Kolektor Terpulsa tp=Aku tidak tahu.1ms		2400	a
Akuf	Arus Maju Diode Berkelanjutan		1200	a
Akufm	Arus Maju Maksimum Diode=0V,		2400	a
pd	Dissipasi daya maksimum @ Tj=Aku tidak tahu.175°C		8823	w
tsc	Waktu Tahan Hubung Pendek @ Tj=125°C		10	μs
tj	Suhu Junction Operasi		-40 hingga +150	°C
tSTG	rentang suhu penyimpanan		-40 hingga +125	°C
Aku2t-value, Diode	vr=0V, t=10ms, Tj=125°C		300	Ka2S
viso	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t=1menit		2500	v
pemasangan torsi	Sekrup terminal daya:M4 Sekrup Terminal Daya:M8		1.7 sampaiAku tidak tahu.2.3 8.0 hinggaAku tidak tahu.10	n.m.
	pemasanganAku tidak tahu.Sekrup:M6		4.25 hinggaAku tidak tahu.5.75	n.m.

Aku tidak tahu.

listrikAku tidak tahu.karakteristikAku tidak tahu.dariAku tidak tahu.IgbtAku tidak tahu.tc=25°CAku tidak tahu.kecualiAku tidak tahu.Jika tidakAku tidak tahu.diperhatikan

Karakteristik Off

Aku tidak tahu.

Simbol	parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	- Max.	satuan
BVAku tidak tahu.CES	Kolektor-Emitter tegangan pemutus	tj=25°C	1200	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu.	v
AkuCES	KolektorAku tidak tahu.dipotong- Aku tidak tahu.matiAku tidak tahu.arus	vc=vCES- Tidak.vGE=0V,Aku tidak tahu.tj=25°C	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu.	5.0	Ibu
AkuGES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	vGE=vGES- Tidak.vc=0V,Aku tidak tahu.tj=25°C	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu.	800	Tidak

Karakteristik On

Aku tidak tahu.

Simbol	parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	- Max.	satuan
vGE(di)	Ambang Gerbang-Emitor tegangan	Akuc=48.0Ibu- Tidak.vc=vGE- Tidak.tj=25°C	5.0	6.5	7.0	v
Aku tidak tahu. Aku tidak tahu. vCE(sat)	Aku tidak tahu. Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Akuc=Aku tidak tahu.1200A,VGE= 15V,Aku tidak tahu.tj=25°C	Aku tidak tahu.	1.9	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu. Aku tidak tahu. v
Aku tidak tahu. Aku tidak tahu. vCE(sat)	Aku tidak tahu. Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Akuc=Aku tidak tahu.1200A,VGE= 15V,Aku tidak tahu.tj=Aku tidak tahu.125°C	Aku tidak tahu.	2.1	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu. Aku tidak tahu. v

Aku tidak tahu.

Karakteristik Switching

Aku tidak tahu.

Simbol	parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	- Max.	satuan
rGint	Resistor Gerbang Internal	tj=25°C	Aku tidak tahu.	1.2	Aku tidak tahu.	Oh
qGE	Biaya gerbang	Akuc=Aku tidak tahu.1200A,Vc=600V,Aku tidak tahu.vGE=-Aku tidak tahu.15…+15V	Aku tidak tahu.	12.5	Aku tidak tahu.	μC
td(pada)	Waktu penundaan menyala	vcc=600V,Ic= 1200A, rg= 0,82Ω,VGEAku tidak tahu.=Aku tidak tahu.±15V,Aku tidak tahu.tj=25°C	Aku tidak tahu.	790	Aku tidak tahu.	n
tr	Waktu naik		Aku tidak tahu.	170	Aku tidak tahu.	n
td(mati)	MatikanAku tidak tahu.Waktu tunda		Aku tidak tahu.	1350	Aku tidak tahu.	n
tf	Waktu musim gugur		Aku tidak tahu.	180	Aku tidak tahu.	n
td(pada)	Waktu penundaan menyala	Aku tidak tahu. Aku tidak tahu. vcc=600V,Ic= 1200A, rg= 0,82Ω,VGEAku tidak tahu.=±15Aku tidak tahu.v,Aku tidak tahu. tj=Aku tidak tahu.125°C	Aku tidak tahu.	850	Aku tidak tahu.	n
tr	Waktu naik		Aku tidak tahu.	170	Aku tidak tahu.	n
td(mati)	MatikanAku tidak tahu.Waktu tunda		Aku tidak tahu.	1500	Aku tidak tahu.	n
tf	Waktu musim gugur		Aku tidak tahu.	220	Aku tidak tahu.	n
epada	NyalakanAku tidak tahu.Kehilangan Switching		Aku tidak tahu.	155	Aku tidak tahu.	mJ
emati	Kerugian Saklar Matikan		Aku tidak tahu.	190	Aku tidak tahu.	mJ
c- Tidak	Kapasitas input	Aku tidak tahu. vc=25V, f=1MHz, vGE=0V	Aku tidak tahu.	92.0	Aku tidak tahu.	NF
coes	Kapasitansi Output		Aku tidak tahu.	8.40	Aku tidak tahu.	NF
cres	Transfer Balik Kapasitansi		Aku tidak tahu.	6.10	Aku tidak tahu.	NF
Aku tidak tahu. Akusc	Aku tidak tahu. Data SC	tSc≤10μs,VGE= 15V, Aku tidak tahu.tj=125°C- Tidak. vcc=900V,Aku tidak tahu.vCEM≤1200V	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu. 7000	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu. a
Akuc	Induktansi Sisa	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu.	15	Aku tidak tahu.	- Tidak.
rcc’+EEAku tidak tahu.'	Resistansi lead module,Aku tidak tahu.terminal ke chip	tc=25°C,per switch	Aku tidak tahu.	0.10	Aku tidak tahu.	mOh

Aku tidak tahu.

listrikAku tidak tahu.karakteristikAku tidak tahu.dariAku tidak tahu.DiodaAku tidak tahu.tc=25°CAku tidak tahu.kecualiAku tidak tahu.Jika tidakAku tidak tahu.diperhatikan

Aku tidak tahu.

Simbol	parameter	Kondisi pengujian		Min.	- Tempel.	- Max.	satuan
vf	Dioda Maju tegangan	Akuf=Aku tidak tahu.1200a	tj=25°C	Aku tidak tahu.	1.9	Aku tidak tahu.	v
vf	Dioda Maju tegangan	Akuf=Aku tidak tahu.1200a	tj=Aku tidak tahu.125°C	Aku tidak tahu.	2.1	Aku tidak tahu.	v
qr	Dioda Mundur biaya pemulihan	Aku tidak tahu. Akuf=Aku tidak tahu.1200A, vr=600V, di/dt=-6800A/μs,Aku tidak tahu.vGE=-Aku tidak tahu.15v	tj=25°C	Aku tidak tahu.	110	Aku tidak tahu.	μC
qr	Dioda Mundur biaya pemulihan		tj=Aku tidak tahu.125°C	Aku tidak tahu.	220	Aku tidak tahu.	μC
Aku tidak tahu. AkuRM	Dioda Puncak Pemulihan TerbalikAku tidak tahu.arus		tj=25°C	Aku tidak tahu.	760	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu. a
Aku tidak tahu. AkuRM	Dioda Puncak Pemulihan TerbalikAku tidak tahu.arus		tj=Aku tidak tahu.125°C	Aku tidak tahu.	990	Aku tidak tahu.	Aku tidak tahu. a
eREC	Pemulihan TerbalikAku tidak tahu.energi		tj=25°C	Aku tidak tahu.	47	Aku tidak tahu.	mJ
eREC	Pemulihan TerbalikAku tidak tahu.energi		tj=Aku tidak tahu.125°C	Aku tidak tahu.	82	Aku tidak tahu.	mJ

Karakteristik TermalIcs

Aku tidak tahu.

Simbol	parameter	- Tempel.	- Max.	satuan
rθJC	Junction-to-Case (Bagian IGBT, per Modul)	Aku tidak tahu.	0.017	K/W
rθJC	Junction-to-Case (Diode Part, per Module)	Aku tidak tahu.	0.025	K/W
rθcs	Case-to-Sink (lemak konduktif diterapkan, permodul)	0.006	Aku tidak tahu.	K/W
berat badan	berat badanAku tidak tahu.dariAku tidak tahu.modul	1500	Aku tidak tahu.	g

Aku tidak tahu.

Semua kategori

1200V

1200V

modul igbt

IGBT Diskrit

Modul IGCT

Modul Diode

Thyristor

Inverter

Starter lunak

Drive servo robot

UAV (Dengan sel bahan bakar hidrogen)

Transduser

Relay kelas atas

GD1200SGL120C3S

pengantar

produk terkait

GD2400SGT120C4S

GD900HFA120C6S

GD650HFX170P1S

GD1200SGT120A3S

YMIF3600-17

GD450HFL120B3S

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Semua kategori

1200V

1200V

GD1200SGL120C3S

pengantar

mendapatkan penawaran gratis

produk terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

mendapatkan penawaran gratis