YMIF1000-33, IGBT Modul, 3300V 1000A

IGBT modul, 3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

kulcs- Nem.paraméterek

- Nem.

Tipikus alkalmazások

Tipikus alkalmazások

Abszolút maximális értékelés

(szimbólum)	(Paraméter)	(Kísérleti feltételek)	(érték)	(Egység)
VCES	A kollektor-kibocsátó feszültség	A VGE = 0V, TC = 25 °C	3300	v
VGES	Kapu-kibocsátó feszültség	TC= 25 °C	± 20	v
C	A kollektor-kibocsátó áram	TC = 95 °C	1000	a)
IC ((PK)	A kollektor csúcsárama	t P= 1ms	2000	a)
P max	Max. transzisztor-energia-szennyezés	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	kw
I 2t	Diódák	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Visol	Elszigetelési feszültség modulonként	A táplaphoz tartozó közös végpontok), AC RMS,1 perc, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Részleges kiürítés modulonként	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	PC

- Nem.

Elektromos jellemzők

(szimbólum)		(Paraméter)	(Kísérleti feltételek)	(min)	(típus)	(Maximum)	(egység)
- Nem. I CES		- Nem. - Nem. A kollektor leállító áramát	VGE = 0V,VCE = VCES	- Nem.	- Nem.	1	Anyám.
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C	- Nem.	- Nem.	60	Anyám.
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C	- Nem.	- Nem.	100	Anyám.
I GES		- Nem. A kapu szivárgási áram	VGE = ±20V, VCE = 0V	- Nem.	- Nem.	1	μA
VGE (TH)		A kapcsoló küszöbfeszültség	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
- Nem. VCE	- Nem. (*1) (sat)	A kollektor-kibocsátó telítettsége feszültség	VGE= 15V, I C= 1000A	- Nem.	2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C	- Nem.	2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C	- Nem.	3.10	3.60	v
I F		Diódás előre áram	dc	- Nem.	1000	- Nem.	a)
I FRM		- Nem. Diódás maximális előre áram	t P = 1ms	- Nem.	2000	- Nem.	a)
- Nem. VF(*1)		- Nem. - Nem. Diódás előrehajtás	I F= 1000A	- Nem.	2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C	- Nem.	2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C	- Nem.	2.25	2.70	v
C ies		- Nem. Bevezető kapacitás	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	- Nem.	170	- Nem.	NF
Q g		Kapu díj	±15V	- Nem.	17	- Nem.	μC
C res		Visszafordító kapacitás	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	- Nem.	4	- Nem.	NF
L M		- Nem. Modul induktivitás	- Nem.	- Nem.	15	- Nem.	- Nem.
R INT		Belső transzistor ellenállás	- Nem.	- Nem.	165	- Nem.	μΩ
- Nem. I SC		Rövidzárlati áram, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	- Nem.	- Nem. 3900	- Nem.	- Nem. a)

- Nem.

csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő	- Nem. I C =1000A A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Nem.	1800	- Nem.	cs
a f	Őszidő		- Nem.	530	- Nem.	cs
E LEJÁLLÁS	A kikapcsolt energiaveszteség		- Nem.	1600	- Nem.	MJ
Tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		- Nem.	680	- Nem.	cs
t r	Felemelkedési idő		- Nem.	320	- Nem.	cs
EON	Beállítási energiaveszteség		- Nem.	1240	- Nem.	MJ
Q rr	Diódás fordított visszanyerő töltés	I F =1000A A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Nem.	780	- Nem.	μC
A	Diódás fordított visszanyerő áram		- Nem.	810	- Nem.	a)
E rec	Diódák visszafordított energiatermelése		- Nem.	980	- Nem.	MJ
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő	- Nem. I C =1000A A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Nem.	1940	- Nem.	cs
a f	Őszidő		- Nem.	580	- Nem.	cs
E LEJÁLLÁS	A kikapcsolt energiaveszteség		- Nem.	1950	- Nem.	MJ
Tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		- Nem.	660	- Nem.	cs
t r	Felemelkedési idő		- Nem.	340	- Nem.	cs
EON	Beállítási energiaveszteség		- Nem.	1600	- Nem.	MJ
Q rr	Diódás fordított visszanyerő töltés	I F =1000A A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Nem.	1200	- Nem.	μC
A	Diódás fordított visszanyerő áram	I F =1000A A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us	- Nem.	930	- Nem.	a)