YMIBD800-17,TIM800DDM17-PSA011,IGBT Modul,1700V 800A

IGBT Modul 1700V

YMIBD800-17, TIM800DDM17-PSA011, IGBT Modul, 1700V 800A

IGBT modul, 1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

bevezető
körvonala

bevezető

kulcs- Nem.paraméterek

vA CES	1700		v
vc(ülés)	(típus)	2.30	v
I.c	(Maximum)	800	a)
I.C(RM)	(Maximum)	1600	a)

- Nem.

Tipikus- Nem.alkalmazások

Húzóhajtóművek
Motorvezérlő
szél- Nem.hatalom
magas- Nem.megbízhatóság- Nem.Inverter

jellemzői

AlSiC- Nem.alap
- Nem.- Nem.szubsztrátok
magas- Nem.hőmérséklet- Nem.kerékpáros- Nem.A képesség
10μs- Nem.rövid- Nem.ÁRAMKÖR- Nem.Állj ki!
alacsony- Nem.vc(ülés)- Nem.készülék
magas- Nem.áram- Nem.sűrűség

- Nem.

Abszolút- Nem.legfeljebb- Nem.minősítés

(szimbólum)	(Paraméter)	(Kísérleti feltételek)	(érték)	(egység)
VCES	A kollektor-kibocsátó feszültség	V GE = 0V, TC= 25。c	1700	v
V GES	Kapu-kibocsátó feszültség	TC= 25。c	± 20	v
C	A kollektor-kibocsátó áram	TC = 80。c	800	a)
I C (((PK)	A kollektor csúcsárama	t P=1ms	1600	a)
P max	Max. transzisztor-energia-szennyezés	Tvj = 150。C, TC = 25。c	6.94	kw
I 2t	Dióda I 2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。c	120	kA2s
- Nem. Visol	Elszigetelési feszültség modulonként	(Közös terminálok az alaplaphoz), AC RMS,1 perc, 50Hz,TC= 25。c	4000	v
Q PD	Részleges kiürítés modulonként	IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c	10	PC

- Nem.

Elektromos jellemzők

(Szimbólum)	- Nem.(paraméter)	(Kísérleti feltételek)	(min)	(A típus)	(Max.)	(egység)
- Nem. I CES	A kollektor leállító áramát	V GE = 0V,VCE = VCES	- Nem.	- Nem.	1	Anyám.
- Nem. I CES	A kollektor leállító áramát	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C	- Nem.	- Nem.	25	Anyám.
I GES	A kapu szivárgási áram	V GE = ±20V, VCE = 0V	- Nem.	- Nem.	4	μA
V GE (TH)	A kapcsoló küszöbfeszültség	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	v
- Nem. VCE (szt.)	Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség	V GE =15V, I C = 800A	- Nem.	2.30	2.60	v
- Nem. VCE (szt.)	Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C	- Nem.	2.80	3.10	v
I F	Diódás előre áram	egyenáramdc	- Nem.	- Nem.	800	a)
I FRM	Diódás maximális előre áram	t P = 1ms	- Nem.	- Nem.	1600	a)
- Nem. VF(*1)	Diódás előrehajtás	I F = 800A	- Nem.	1.70	2.00	v
- Nem. VF(*1)	Diódás előrehajtás	I F = 800A, Tvj = 125 ° C	- Nem.	1.80	2.10	v
C ies	Bevezető kapacitás	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz	- Nem.	60	- Nem.	NF
Q g	Kapu díj	±15V	- Nem.	9	- Nem.	μC
C res	Visszafordító kapacitás	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz	- Nem.	- Nem. - Nem, nem.	- Nem.	NF
L M	Modul induktivitás	- Nem.	- Nem.	20	- Nem.	- Nem.
R INT	Belső transzistor ellenállás	- Nem.	- Nem.	270	- Nem.	μΩ
- Nem. - Nem. I SC	Rövidzárlati áram, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	- Nem.	- Nem. - Nem. 3700	- Nem.	- Nem. - Nem. a)
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő	- Nem. - Nem. - Nem. I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Nem.	890	- Nem.	cs
a f	Őszidő		- Nem.	220	- Nem.	cs
E LEJÁLLÁS	A kikapcsolt energiaveszteség		- Nem.	220	- Nem.	MJ
Tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		- Nem.	320	- Nem.	cs
t r	Felemelkedési idő		- Nem.	190	- Nem.	cs
EON	Beállítási energiaveszteség		- Nem.	160	- Nem.	MJ
Q rr	Diódás fordított visszanyerő töltés	- Nem. I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us	- Nem.	260	- Nem.	μC
A	Diódás fordított visszanyerő áram		- Nem.	510	- Nem.	a)
E rec	Diódák visszafordított energiatermelése		- Nem.	180	- Nem.	MJ
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő	- Nem. - Nem. - Nem. I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω	- Nem.	980	- Nem.	cs
a f	Őszidő		- Nem.	280	- Nem.	cs
E LEJÁLLÁS	A kikapcsolt energiaveszteség		- Nem.	290	- Nem.	MJ
Tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		- Nem.	400	- Nem.	cs
t r	Felemelkedési idő		- Nem.	250	- Nem.	cs
EON	Beállítási energiaveszteség		- Nem.	230	- Nem.	MJ
Q rr	Diódás fordított visszanyerő töltés	- Nem. I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us	- Nem.	420	- Nem.	μC
A	Diódás fordított visszanyerő áram		- Nem.	580	- Nem.	a)
E rec	Diódák visszafordított energiatermelése		- Nem.	280	- Nem.	MJ