IGBT modul, 1400A 1700V
legfontosabb paraméterei
vA CES | 1700- Nem.v |
vCE (szombat)- Nem.A következő- Tipikus. | 2.0- Nem.v |
I.C- Nem.A következő- Max. - Mi az? | 1400- Nem.a) |
I.C(RM)A következő- Nem.A következő- Max. - Mi az? | 2800- Nem.a) |
- Nem.
- Nem.
Tipikus alkalmazások
- Nem.
jellemzői
Cu alaplap
- Nem.
Abszolút maximális minősítés
Szimbólum | paraméter | A vizsgálati feltételek | érték | Egység |
VCES | A kollektor-kibocsátó feszültség | A VGE = 0V, TC = 25 °C | 1700 | v |
VGES | Kapu-kibocsátó feszültség | TC= 25 °C | ± 20 | v |
c | A kollektor-kibocsátó áram | TC = 65 °C | 1400 | a) |
IC ((PK) | 集电极峰值电流 A kollektor csúcsárama | TP=1 ms | 2800 | a) |
Pmax | Max. transzisztor-energia-szennyezés | Tvj = 150 °C, TC = 25 °C | 6.25 | kw |
I2t | Diódák | A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgált anyagokat tartalmazó összes anyagnak kell megadniuk. | 145 | kA2s |
- Nem. Visol | A szigetelési feszültség - modulonként | Közös terminálok az alaplaphoz), AC RMS, 1 perc, 50Hz, TC= 25 °C | - Nem. 4000 | - Nem. v |
- Nem.
- Nem.elektromos jellemzői
Szimbólum | paraméter | A vizsgálati feltételek | Min. | Tip. | - Max. - Mi az? | Egység | ||
- Nem. - Nem. - Nem. ICES-szel | - Nem. - Nem. A kollektor leállító áramát | A VGE = 0V,VCE = VCES | - Nem. | - Nem. | 1 | Anyám. | ||
A VGE = 0V, a VCE = VCES, a TC = 125 °C | - Nem. | - Nem. | 20 | Anyám. | ||||
A VGE = 0V, a VCE = VCES, a TC = 150 °C | - Nem. | - Nem. | 30 | Anyám. | ||||
IGES | A kapu szivárgási áram | A VGE = ±20V, a VCE = 0V | - Nem. | - Nem. | 0.5 | μA | ||
VGE (TH) | A kapcsoló küszöbfeszültség | IC = 30mA, VGE = VCE | 5.00 | 6.00 | 7.00 | v | ||
- Nem. - Nem. VCE (szt.) | - Nem. - Nem. A kollektor-kibocsátó telítettsége- Nem.feszültség | VGE =15V, IC = 1400A | - Nem. | 2.00 | 2.40 | v | ||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C | - Nem. | 2.45 | 2.70 | v | ||||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C | - Nem. | 2.55 | 2.80 | v | ||||
ha | Diódás előre áram | dc | - Nem. | 1400 | - Nem. | a) | ||
A FVK | Diód csúcs előre áram | TP = 1 ms | - Nem. | 2800 | - Nem. | a) | ||
- Nem. - Nem. VF(*1) | - Nem. - Nem. Diódás előrehajtás | IF = 1400A, VGE = 0 | - Nem. | 1.80 | 2.20 | v | ||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C | - Nem. | 1.95 | 2.30 | v | ||||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C | - Nem. | 2.00 | 2.40 | v | ||||
- Nem. A VTK | - Nem. rövidzárlat | Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, A VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9 | - Nem. | - Nem. 5400 | - Nem. | - Nem. a) | ||
A csúcs | bevezető kapacitás Bevezető kapacitás | VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz | - Nem. | 113 | - Nem. | NF | ||
Qg | Kapu díj | ±15V | - Nem. | 11.7 | - Nem. | μC | ||
Cres | Visszafordító kapacitás | VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz | - Nem. | 3.1 | - Nem. | NF | ||
Én vagyok. | Modul induktivitás | - Nem. | - Nem. | 10 | - Nem. | - Nem. | ||
RINT | Belső transzistor ellenállás | - Nem. | - Nem. | 0.2 | - Nem. | mΩ | ||
- Nem. csv (ki) | - Nem. A kikapcsoló késleltetési idő | - Nem. - Nem. - Nem. IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). | Tvj= 25 °C | - Nem. | 1520 | - Nem. | - Nem. cs | |
Tvj= 125 °C | - Nem. | 1580 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 1600 | - Nem. | |||||
- Nem. Tf | - Nem. - Lecsökkentő idő.Őszidő | Tvj= 25 °C | - Nem. | 460 | - Nem. | - Nem. cs | ||
Tvj= 125 °C | - Nem. | 610 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 650 | - Nem. | |||||
- Nem. EOFF | - Nem. A kikapcsolt energiaveszteség | Tvj= 25 °C | - Nem. | 460 | - Nem. | - Nem. MJ | ||
Tvj= 125 °C | - Nem. | 540 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 560 | - Nem. | |||||
- Nem. Tg ((on) | - Nem. Beállítási késleltetési idő | - Nem. - Nem. - Nem. IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH, di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C). | Tvj= 25 °C | - Nem. | 400 | - Nem. | - Nem. cs | |
Tvj= 125 °C | - Nem. | 370 | ||||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 360 | ||||||
- Nem. tr | - Nem. Felemelkedési idő | Tvj= 25 °C | - Nem. | 112 | - Nem. | - Nem. cs | ||
Tvj= 125 °C | - Nem. | 120 | ||||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 128 | - Nem. | |||||
- Nem. EON | - Nem. Beállítási energiaveszteség | Tvj= 25 °C | - Nem. | 480 | - Nem. | - Nem. MJ | ||
Tvj= 125 °C | - Nem. | 580 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 630 | - Nem. | |||||
- Nem. Qrr | Diód visszafelé behajtási díj | - Nem. - Nem. - Nem. - Nem. IF =1400A, VCE = 900V, - diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C). | Tvj= 25 °C | - Nem. | 315 | - Nem. | - Nem. μC | |
Tvj= 125 °C | - Nem. | 440 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 495 | - Nem. | |||||
- Nem. A következők: | Diód visszafelé visszanyerési áram | Tvj= 25 °C | - Nem. | 790 | - Nem. | - Nem. a) | ||
Tvj= 125 °C | - Nem. | 840 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 870 | - Nem. | |||||
- Nem. Erec | Diód visszafelé energia-visszanyerés | Tvj= 25 °C | - Nem. | 190 | - Nem. | - Nem. MJ | ||
Tvj= 125 °C | - Nem. | 270 | - Nem. | |||||
Tvj= 150 °C | - Nem. | 290 | - Nem. |
- Nem.
A professzionális értékesítési csapatunk várja a konzultációdat.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.