honlap / termék / igbt modul / 1700V
legfontosabb paraméterei
vA CES |
1700- Nem.v |
vCE (szombat)- Nem.A következő- Tipikus. |
2.0- Nem.v |
I.C- Nem.A következő- Max. - Mi az? |
1400- Nem.a) |
I.C(RM)A következő- Nem.A következő- Max. - Mi az? |
2800- Nem.a) |
- Nem.
- Nem.
Tipikus alkalmazások
- Nem.
jellemzői
Cu alaplap
- Nem.
Abszolút maximális minősítés
Szimbólum |
paraméter |
A vizsgálati feltételek |
érték |
Egység |
VCES |
A kollektor-kibocsátó feszültség |
A VGE = 0V, TC = 25 °C |
1700 |
v |
VGES |
Kapu-kibocsátó feszültség |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
c |
A kollektor-kibocsátó áram |
TC = 65 °C |
1400 |
a) |
IC ((PK) |
集电极峰值电流 A kollektor csúcsárama |
TP=1 ms |
2800 |
a) |
Pmax |
Max. transzisztor-energia-szennyezés |
Tvj = 150 °C, TC = 25 °C |
6.25 |
kw |
I2t |
Diódák |
A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgált anyagokat tartalmazó összes anyagnak kell megadniuk. |
145 |
kA2s |
- Nem. Visol |
A szigetelési feszültség - modulonként |
Közös terminálok az alaplaphoz), AC RMS, 1 perc, 50Hz, TC= 25 °C |
- Nem. 4000 |
- Nem. v |
- Nem.
- Nem.elektromos jellemzői
Szimbólum |
paraméter |
A vizsgálati feltételek |
Min. |
Tip. |
- Max. - Mi az? |
Egység |
||
- Nem. - Nem. - Nem. ICES-szel |
- Nem. - Nem. A kollektor leállító áramát |
A VGE = 0V,VCE = VCES |
- Nem. |
- Nem. |
1 |
Anyám. |
||
A VGE = 0V, a VCE = VCES, a TC = 125 °C |
- Nem. |
- Nem. |
20 |
Anyám. |
||||
A VGE = 0V, a VCE = VCES, a TC = 150 °C |
- Nem. |
- Nem. |
30 |
Anyám. |
||||
IGES |
A kapu szivárgási áram |
A VGE = ±20V, a VCE = 0V |
- Nem. |
- Nem. |
0.5 |
μA |
||
VGE (TH) |
A kapcsoló küszöbfeszültség |
IC = 30mA, VGE = VCE |
5.00 |
6.00 |
7.00 |
v |
||
- Nem. - Nem. VCE (szt.) |
- Nem. - Nem. A kollektor-kibocsátó telítettsége- Nem.feszültség |
VGE =15V, IC = 1400A |
- Nem. |
2.00 |
2.40 |
v |
||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C |
- Nem. |
2.45 |
2.70 |
v |
||||
VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C |
- Nem. |
2.55 |
2.80 |
v |
||||
ha |
Diódás előre áram |
dc |
- Nem. |
1400 |
- Nem. |
a) |
||
A FVK |
Diód csúcs előre áram |
TP = 1 ms |
- Nem. |
2800 |
- Nem. |
a) |
||
- Nem. - Nem. VF(*1) |
- Nem. - Nem. Diódás előrehajtás |
IF = 1400A, VGE = 0 |
- Nem. |
1.80 |
2.20 |
v |
||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
- Nem. |
1.95 |
2.30 |
v |
||||
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
- Nem. |
2.00 |
2.40 |
v |
||||
- Nem. A VTK |
- Nem. rövidzárlat |
Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, A VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
- Nem. |
- Nem. 5400 |
- Nem. |
- Nem. a) |
||
A csúcs |
bevezető kapacitás Bevezető kapacitás |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
- Nem. |
113 |
- Nem. |
NF |
||
Qg |
Kapu díj |
±15V |
- Nem. |
11.7 |
- Nem. |
μC |
||
Cres |
Visszafordító kapacitás |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
- Nem. |
3.1 |
- Nem. |
NF |
||
Én vagyok. |
Modul induktivitás |
- Nem. |
- Nem. |
10 |
- Nem. |
- Nem. |
||
RINT |
Belső transzistor ellenállás |
- Nem. |
- Nem. |
0.2 |
- Nem. |
mΩ |
||
- Nem. csv (ki) |
- Nem. A kikapcsoló késleltetési idő |
- Nem. - Nem. - Nem. IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
1520 |
- Nem. |
- Nem. cs |
|
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
1580 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
1600 |
- Nem. |
|||||
- Nem. Tf |
- Nem. - Lecsökkentő idő.Őszidő |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
460 |
- Nem. |
- Nem. cs |
||
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
610 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
650 |
- Nem. |
|||||
- Nem. EOFF |
- Nem. A kikapcsolt energiaveszteség |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
460 |
- Nem. |
- Nem. MJ |
||
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
540 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
560 |
- Nem. |
|||||
- Nem. Tg ((on) |
- Nem. Beállítási késleltetési idő |
- Nem. - Nem. - Nem. IC =1400A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH, di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C). |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
400 |
- Nem. |
- Nem. cs |
|
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
370 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
360 |
|
|||||
- Nem. tr |
- Nem. Felemelkedési idő |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
112 |
- Nem. |
- Nem. cs |
||
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
120 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
128 |
- Nem. |
|||||
- Nem. EON |
- Nem. Beállítási energiaveszteség |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
480 |
- Nem. |
- Nem. MJ |
||
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
580 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
630 |
- Nem. |
|||||
- Nem. Qrr |
Diód visszafelé behajtási díj |
- Nem. - Nem. - Nem. - Nem. IF =1400A, VCE = 900V, - diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C). |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
315 |
- Nem. |
- Nem. μC |
|
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
440 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
495 |
- Nem. |
|||||
- Nem. A következők: |
Diód visszafelé visszanyerési áram |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
790 |
- Nem. |
- Nem. a) |
||
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
840 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
870 |
- Nem. |
|||||
- Nem. Erec |
Diód visszafelé energia-visszanyerés |
Tvj= 25 °C |
- Nem. |
190 |
- Nem. |
- Nem. MJ |
||
Tvj= 125 °C |
- Nem. |
270 |
- Nem. |
|||||
Tvj= 150 °C |
- Nem. |
290 |
- Nem. |
- Nem.
A professzionális értékesítési csapatunk várja a konzultációdat.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.