IGBT Modul 6500V

VCES

6500 V

VCE(sat)        Tip.

3.0 V

IC             Max.

750 A

IC(RM)         Max.

1500 A

Szimbólum

paraméter

A vizsgálati feltételek

érték

egység

v_{A CES}

A kollektor-kibocsátó feszültség

A VGE = 0V, TC = 25 °C

6500

v

v_GES

Kapu-kibocsátó feszültség

TC= 25 °C

± 20

v

I._c

A kollektor-kibocsátó áram

TC = 80 °C

750

a)

I._{C (((PK)}

A kollektor csúcsárama

TP=1 ms

1500

a)

p_Max.

Max. transzisztor-energia-szennyezés

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

11.7

kw

I.²t

Diódák

A vizsgálati eljárás során a vizsgált anyagokat a vizsgált anyagokat tartalmazó összes anyagnak kell megadniuk.

460

kA2s

v_{az önálló}

A szigetelési feszültség - modulonként

 ( Közös terminálok az alaplappal), AC RMS, 1 perc, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kv

Q_PD

Részleges kiürítés - modulonként

A 1287 sz. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

Rth(J-C) IGBT

Hőellenállás - IGBT

- Nem.

- Nem.

- Nem.

8.5

K / kW

- Nem.

Rth(J-C) Dióda

Hőellenállás - Dióda

- Nem.

- Nem.

- Nem.

19.0

- Nem.

K / kW

- Nem.

Rth(C-H) IGBT

Hőellenállás -

ház és hűtőborda (IGBT)

Szerelési nyomaték 5Nm,

szerelési zsírral 1W/m·°C

- Nem.

- Nem.

9

- Nem.

K / kW

- Nem.

Rth(C-H) Dióda

Hőellenállás -

ház és hűtőborda (Dióda)

Szerelési nyomaték 5Nm,

szerelési zsírral 1W/m·°C

- Nem.

- Nem.

18

- Nem.

K / kW

Tvjop

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

( IGBT )

-40

125

°c

( Dióda )

-40

125

°c

TSTG

Tárolási hőmérséklet

tárolási hőmérséklet-tartomány

- Nem.

-40

125

°c

- Nem.

- Nem.

- Nem.

m

- Nem.

- Nem.

Csavar nyomaték

Szerelés   –M6

- Nem.

5

nm

Elektromos csatlakozások   – M4

- Nem.

2

nm

Elektromos csatlakozások   – M8

- Nem.

10

nm

符号 Jel

参数名称paraméter

条件

A vizsgálati feltételek

最小值Min.

典型值- Tipikus.

legnagyobb érték- Max. - Mi az?

egységegység

- Nem.

ICES-szel

- Nem.

集电极截止电流

A kollektor leállító áramát

A VGE = 0V,VCE = VCES

- Nem.

- Nem.

1

Anyám.

A VGE = 0V, a VCE = VCES, a TC = 125 °C

- Nem.

- Nem.

90

Anyám.

IGES

极漏电流

A kapu szivárgási áram

A VGE = ±20V, a VCE = 0V

- Nem.

- Nem.

1

μA

VGE (TH)

Rács- Nem, nem.Emittáló küszöb feszültségA kapcsoló küszöbfeszültség

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

- Nem.

VCE (szt.)

集电极- Nem, nem.Emittáló telítési feszültség

A kollektor-kibocsátó telítettsége

feszültség

VGE =15V, IC = 750A

- Nem.

3.0

3.4

v

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

- Nem.

3.9

4.3

v

ha

Dióda előre irányuló egyenáramDiódás előre áram

dc

- Nem.

750

- Nem.

a)

A FVK

Dióda előre irányuló ismétlődő csúcsáramDiódák csúcselőre áram

TP = 1 ms

- Nem.

1500

- Nem.

a)

- Nem.

VF(*1)

- Nem.

Dióda előre irányuló feszültség

Diódás előrehajtás

IF = 750A, VGE = 0

- Nem.

2.55

2.90

v

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- Nem.

2.90

3.30

v

- Nem.

A VTK

- Nem.

rövidzárlati áram

rövidzárlat

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

A VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Nem.

- Nem.

2800

- Nem.

- Nem.

a)

A csúcs

bevezető kapacitás

Bevezető kapacitás

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- Nem.

123

- Nem.

NF

Qg

极电荷

Kapu díj

±15V

- Nem.

9.4

- Nem.

μC

Cres

Visszafelé történő átviteli kapacitás

Visszafordító kapacitás

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- Nem.

2.6

- Nem.

NF

Én vagyok.

Modul induktivitás

Modul induktivitás

- Nem.

- Nem.

10

- Nem.

- Nem.

RINT

Belső ellenállás

Belső transzistor ellenállás

- Nem.

- Nem.

90

- Nem.

mΩ

cs_(ki)

Kikapcsolási késleltetés

A kikapcsoló késleltetési idő

- Nem.

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

- Nem.

3060

- Nem.

cs

Tvj= 125 °C

- Nem.

3090

- Nem.

t_f

- Lecsökkentő idő.Őszidő

Tvj= 25 °C

- Nem.

2390

- Nem.

cs

- Nem.

MJ

- Nem.

cs

- Nem.

cs

- Nem.

MJ

- Nem.

μC

Tvj= 125 °C

- Nem.

2980

- Nem.

e_{Ki van kapcsolva.}

Kikapcsolási veszteség

A kikapcsolt energiaveszteség

Tvj= 25 °C

- Nem.

3700

- Nem.

Tvj= 125 °C

- Nem.

4100

- Nem.

cs_(meghajtva)

开通延迟时间

Beállítási késleltetési idő

- Nem.

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

- Nem.

670

- Nem.

Tvj= 125 °C

- Nem.

660

tr

Fejlődési időFelemelkedési idő

Tvj= 25 °C

- Nem.

330

- Nem.

Tvj= 125 °C

- Nem.

340

e_A

Kapcsolási veszteség

Beállítási energiaveszteség

Tvj= 25 °C

- Nem.

4400

- Nem.

Tvj= 125 °C

- Nem.

6100

- Nem.

Qrr

Dióda visszafelé helyreállító töltésDiódás vissza

behajtási díj

- Nem.

- Nem.

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

- Nem.

1300

- Nem.

Tvj= 125 °C

- Nem.

1680

- Nem.

A következők:

Dióda visszafelé helyreállító áramDiódás vissza

visszanyerési áram

Tvj= 25 °C

- Nem.

1310

- Nem.

a)

- Nem.

MJ

Tvj= 125 °C

- Nem.

1460

- Nem.

Erec

Dióda visszafelé helyreállító veszteségDiódás vissza

energia-visszanyerés

Tvj= 25 °C

- Nem.

2900

- Nem.

Tvj= 125 °C

- Nem.

4080

- Nem.