termék brosúrája:letöltés
rövid bevezetés
A tirisztor/diódamódule, MTx800 MFx800 MT800,800a),vízhűtés,A TECHSEM készítette.
rövid bevezetés
A tirisztor/diódamódule, MTx800 MFx800 mt800,800a),vízhűtés,A TECHSEM készítette.
VDRM VRRM, | Típus és körvonal | |
800V | MT3 a székhelyűek | MFx800-08-414S3 |
1000V | MT3 a székhelyűek | A következők: |
1200V | MT3 a székhelyűek | A következők: |
1400V | MT3 a székhelyűek | A MFx800-14-414S3 |
1600V | MT3 a székhelyűek | A MFx800-16-414S3 |
1800V | MT3 a székhelyűek | A MFx800-18-414S3 |
1800V | MT4számítástechnikai módszer |
|
MTx minden típusúMTC, MTA, MTK
Az MFx minden típusúMFC, A külügyminisztérium, MFK
jellemzői
Tipikus alkalmazások
Szimbólum |
jellemző |
A vizsgálati feltételek | Tj(℃) | érték |
egység | ||
min | típus | Max. | |||||
IT ((AV) | Átlagos bekapcsolt állapotú áram | 180。fél szinus hullám 50 Hz Egyszintes hűtött oldalon, Tc=55°C |
125 |
|
| 800 | a) |
IT(RMS) | RMS bekapcsolt állapotú áram | 180- Nem.fél szinuszos hullám 50Hz |
|
| 1256 | a) | |
Idrm Irrm | Ismétlődő csúcsáram | VDRM-nél VRRM-nél | 125 |
|
| 120 | Anyám. |
ITSM | Túlfeszültség bekapcsolt állapotú áram | 10 ms fél sinus hullám, VR=0V |
125 |
|
| 16 | a |
I2t | I2t az olvadási koordinációhoz |
|
| 1280 | a)2s* 103 | ||
VTO | Küszöbfeszültség |
|
135 |
|
| 0.80 | v |
rt | Bekapcsolt állapotú lejtési ellenállás |
|
| 0.26 | mΩ | ||
VTM | Csúcs bekapcsolt állapotú feszültség | ITM= 1500A | 25 |
|
| 1.45 | v |
dv/dt | Kritikus feszültségnövekedési sebesség kikapcsolt állapotban | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Kritikus emelkedési sebesség a bekapcsolt állapotú áramra | Kapu forrás 1.5A tr ≤0.5μs Ismétlődő | 125 |
|
| 200 | A/μs |
Tgd | Kapuvezérelt késleltetési idő | IG= 1A dig/dt=1A/μs | 25 |
|
| 4 | μs |
Tq | Áramkör által vezérelt kikapcsolási idő | ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs | 125 |
| 250 |
| μs |
IGT | Kapu indító áram |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 250 | Anyám. |
Vgt. | Kapu indító feszültség | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Tartó áram | 10 |
| 300 | Anyám. | ||
a) | Rögzítő áram | A vizsgált anyagokat a következők alapján kell vizsgálni: | 25 |
|
| 1500 | Anyám. |
VGD | Nem indító kapu feszültség | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.25 | v |
IGD | Nem indító porták áram | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 5 | Anyám. |
Rth(j-c) | Hőellenállás csatlakozótól a házig | Egyoldali hűtés chipenként |
|
|
| 0.065 | ℃/W |
Rth(c-h) | Hőellenállás a háztól a hűtőbordáig | Egyoldali hűtés chipenként |
|
|
| 0.020 | ℃/W |
VISO | Szigetelési feszültség | 50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
FM | Terminál csatlakozási nyomaték (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m |
Rögzítési nyomaték (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Tvj | Kötési hőmérséklet |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Tárolási hőmérséklet |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | súly |
|
|
| 2100 |
| g |
körvonala | 414S3 |
A professzionális értékesítési csapatunk várja a konzultációdat.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.