Hegesztő Thyristor/rectifier modul

Szimbólum

A tulajdonságok

A vizsgálati feltételek

Tj( °C )

érték

egység

Min.

Típus

Max.

IT ((AV)

Átlagos bekapcsolt állapotú áram

180° fél szinuszos hullám 50Hz

Egyoldali hűtés, Tc =85 °C

125

26

A

IT(RMS)

RMS bekapcsolt állapotú áram

125

41

A

Idrm Irrm

Ismétlődő csúcsáram

VDRM-nél VRRM-nél

125

15

mA

ITSM

Túlfeszültség bekapcsolt állapotú áram

10ms fél szinuszhullám VR=60%VRRM

125

1.6

kA

I2t

I2t az olvadási koordinációhoz

12.8

10³A ²s

VTO

Küszöbfeszültség

125

0.75

V.

rt

Bekapcsolt állapotú lejtési ellenállás

7.68

mΩ

VTM

Csúcs bekapcsolt állapotú feszültség

ITM=80A

25

1.55

V.

dv/dt

Kritikus feszültségnövekedési sebesség kikapcsolt állapotban

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritikus emelkedési sebesség a bekapcsolt állapotú áramra

Kapu forrás 1.5A

tr ≤0.5μs Ismétlődő

125

200

A/μs

IGT

Kapu indító áram

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt.

Kapu indító feszültség

0.6

2.5

V.

IH

Tartó áram

10

250

mA

A II.

Rögzítő áram

1000

mA

VGD

Nem indító kapu feszültség

VDM=67%VDRM

125

0.2

V.

Rth(j-c)

Hőellenállás csatlakozótól a házig

Egyoldalas hűtés, chipenként

0.90

°C /W

Rth(c-h)

Hőellenállás a háztól a hűtőbordáig

Egyoldalas hűtés, chipenként

0.15

°C /W

VISO

Szigetelési feszültség

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V.

FM

Hőcsatlakozási nyomaték(M5)

2.5

4.0

N·m

Rögzítési nyomaték (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Kötési hőmérséklet

-40

125

°C

TSTG

Tárolási hőmérséklet

-40

125

°C

Wt

Súly

100

G

Az ábrázolás

224H3 、224H3B