IGBT Modul 1200V

Szimbólum

Leírás

GD800HFL120C3S

Egyedülálló egységek

V. A CES

A kollektor-kibocsátó feszültség

1200

V.

V. GES

Kapu-kibocsátó feszültség

± 20

V.

Én... C

@ T C =25 °C

@ T C = 80 °C

1250

A

800

Én... CM(1)

Pulzáló gyűjtőáram t P = 1 ms

1600

A

Én... F

Diódák folyamatos előre árammal

800

A

Én... FM

Diódás maximális előre áram

1600

A

P d

Maximum teljesítmény t j =150 °C

4310

W

t A sz.

Rövidzárlati ellenállási idő @ T j = 125 °C

10

μs

t j

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

- 40 és 40 között. +150

°C

t STG

Tárolóhőmérséklet-tartomány

- 40 és 40 között. +125

°C

Én... 2t-érték, dióda

V. r =0V, t=10ms, T j = 125 °C

140

kA 2s

V. ISO-k

A szigetelési feszültség RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V.

Feltöltés

Nyomásnyomaték

Az áramellátó terminál Csavar:M4

Az áramellátó terminál Csavar:M8

1.7 és 2.3

8.0-ig 10

N.m.

Feltöltés Csavar:M6

4.25-től 5.75

N.m.

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

BV A CES

A gyűjtő-kibocsátó

Megszakító feszültség

t j =25 °C

1200

V.

Én... A CES

Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi

V. CE =V A CES V. Általános energia =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Én... GES

A kapuk kibocsátójának szivárgása

A jelenlegi

V. Általános energia =V GES V. CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

V. A következők:

A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke

Feszültség

Én... C =32mA,V CE =V Általános energia , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V.

V. CE (szombat)

A gyűjtő a kibocsátóhoz

Telítettség

Én... C = 800A,V Általános energia =15V, t j =25 °C

1.8

V.

Én... C = 800A,V Általános energia =15V, t j = 125 °C

2.0

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

Q Általános energia

Kapu díj

Én... C = 800A,V CE = 600V,

V. Általános energia =-15...+15V

11.5

μC

t A következők:

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C = 800A,

r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

V. Általános energia =± 15V, T j =25 °C

600

cs

t r

Felemelkedési idő

230

cs

t d (Ki van kapcsolva. )

Kiállás Késésítési idő

820

cs

t F

Őszidő

150

cs

t A következők:

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C = 800A,

r Gon =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

V. Általános energia =± 15V, T j = 125 °C

660

cs

t r

Felemelkedési idő

220

cs

t d (Ki van kapcsolva. )

Kiállás Késésítési idő

960

cs

t F

Őszidő

180

cs

e A

Beállítva Kapcsolási veszteség

160

MJ

e Ki van kapcsolva.

A kiiktatás-kapcsolás vesztesége

125

MJ

C a)

Bevezető kapacitás

V. CE = 25V, f=1Mhz,

V. Általános energia =0V

61.8

NF

C A

Kibocsátási kapacitás

4.2

NF

C Res

Visszafordítás

A kapacitás

2.7

NF

Én... A sz.

SC-adatok

t s C ≤ 10 μs, V Általános energia =15V, t j = 125 °C ,

V. CC = 900V, V. A CEM ≤ 1200V

3760

A

l CE

Sétáló induktancia

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modul Vezető Ellenállás ce, Terminál a chipphez

t C =25 °C

0.18

m Ó

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

V. F

Előrehajtó diódák

Feszültség

Én... F =800A

t j =25 °C

2.4

V.

t j = 125 °C

2.2

Q r

Diódás vissza

behajtási díj

Én... F = 800A,

V. r = 600V,

di/dt=-3600A/μs, V. Általános energia =-15V

t j =25 °C

37

μC

t j = 125 °C

90

Én... RM

Diódás csúcs

Visszafordított helyreállítás A jelenlegi

t j =25 °C

260

A

t j = 125 °C

400

e A felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

t j =25 °C

9

MJ

t j = 125 °C

24

Szimbólum

Paraméter

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

r θJC

Csatlakozás-tok (IGBT rész, per 1/2 modul)

0.029

K/W

r θJC

Csatlakozás-tok (Dióda rész, per 1/2 modul)

0.052

K/W

r θCS

Ház és hűtő

(Vezető zsírral alkalmazva, per Modul)

0.006

K/W

Súly

Súly Modul

1500

G