GD200HFT120C8S_G8, IGBT Modul, STARPOWER

IGBT Modul 1200V

GD200HFT120C8S_G8,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C8S_G8

Bevezetés
Az ábrázolás
Ekvivalens áramkör séma

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,STARPOWER által gyártva. 1200V 200A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
Alacsony váltási veszteség
10 μs rövidzárlat-képesség
Alacsony induktancia
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Inverter motor meghajtáshoz
AC és DC szervó meghajtó erősítő
Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás t C =25 °C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±30	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 °C @ T C =100 °C	330 200	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t P =1 ms	400	A
P d	Maximális teljesítmény disszipáció @ T j =17 5°C	1103	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt Kor	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	200	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t P =1 ms	400	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Értékek	egység
t jmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	°C
t Jopp	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	°C
t STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	°C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc	4000	V.

IGBT A tulajdonságok t C =25 °C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =200A,V Általános energia =15V, t j =25 °C		1.70	2.15	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, t j = 125 °C		1.95
		Én... C =200A,V Általános energia =15V, t j =150 °C		2.00
V. Általános energia (A )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =8.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , t j =25 °C	5.0	5.8	6.5	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, t j =25 °C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 °C			400	NA
r Gint	Belső kapu ellenállás A			1.0		Ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE =30V, f=1MHz, V. Általános energia =0V		18.2		NF
C Res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE =30V, f=1MHz, V. Általános energia =0V		0.56		NF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =15V		1.20		μC
t d (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V Általános energia =±15V, t j =25 °C		213		cs
t r	Felemelkedési idő			64		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			280		cs
t F	Őszidő			180		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			4.10		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			16.3		MJ
t d (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V Általános energia =±15V, t j = 125 °C		285		cs
t r	Felemelkedési idő			78		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			363		cs
t F	Őszidő			278		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			7.40		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			23.0		MJ
t d (A )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V Általános energia =±15V, t j =150 °C		293		cs
t r	Felemelkedési idő			81		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			374		cs
t F	Őszidő			327		cs
e A	Beállítva Átváltás Veszély			8.70		MJ
e Ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			25.2		MJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤10μs, V. Általános energia =15V, t j =150 °C V. CC = 900V, V. A CEM ≤ 1200V		800		A

Diódák A tulajdonságok t C =25 °C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egyedülálló egységek
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... C =200A,V Általános energia =0V,T j =25 °C		2.15	2.55	V.
		Én... C =200A,V Általános energia =0V,T j = 125 °C		2.20
		Én... C =200A,V Általános energia =0V,T j =150 °C		2.15
Q r	Visszanyert Töltés	V. r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V. Általános energia =-15V t j =25 °C		16.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			169		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			10.2		MJ
Q r	Visszanyert Töltés	V. r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V. Általános energia =-15V t j = 125 °C		24.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			204		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			16.2		MJ
Q r	Visszanyert Töltés	V. r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V. Általános energia =-15V t j =150 °C		31.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított visszanyerési áram			222		A
e A felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			19.4		MJ

Modul A tulajdonságok t C =25 °C kivéve, ha egyébként Megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	egység
l CE	Sétáló induktancia			26	nH
r CC+EE	Modul ólomállás nce,Csatlakozó a Chiphez		0.62		mΩ
r thJC	A "Case-to-Case" (IGB-onként) T) Keresztmetszet és ház (per Di ód)			0.136 0.194	K/W
r thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.156 0.223 0.046		K/W
m	Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M5 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly A Modul		200		G