Module IGBT, 1700V 800A
clé- Je suis désolé.paramètres
vLe CES | 1700 | v | |
v- le(Le gouvernementassis) | (type) | 2.30 | v |
Jec | (maximum) | 800 | a) |
JeC ((RM) | (maximum) | 1600 | a) |
- Je suis désolé.
typique- Je suis désolé.Les demandes
caractéristiques
- Je suis désolé.
- Je ne sais pas.- Je suis désolé.Le maximum- Je suis désolé.notation
Je ne peux pas. | (Paramètre) | (conditions d'essai) | (valeur) | (Unité) |
VCES | Voltage du collecteur-émetteur | Les données sont fournies par le système de mesure.。c | 1700 | v |
V GES | Voltage de l'émetteur de la porte | TC = 25。c | ± 20 | v |
Le C | Courant collecteur-émetteur | TC = 80。c | 800 | a) |
Je C ((PK) | Courant de collecteur de pointe | T P=1ms | 1600 | a) |
P max | Dissipation de puissance maximale du transistor | Tvj = 150。C, TC = 25。c | 6.94 | Le prix |
Je ne | Diode I 2t | Pour les appareils de type V, la valeur de la tension maximale est de 0,01 V.。c | 120 | KA2s |
- Je suis désolé. Le visol | Voltage d'isolation par module | (Terminals communs à la plaque de base), RMS AC, 1 min, 50 Hz, TC = 25。c | 4000 | v |
Q PD | Décharge partielle par module | - Je ne peux pas. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50 Hz RMS, TC = 25。c | 10 | PC |
- Je suis désolé.
Caractéristiques électriques
(Le gouvernementLe symbole) | - Je suis désolé.(Le gouvernementparamètre) | (conditions d'essai) | (Le gouvernementminutes) | (Le gouvernementtype) | (Le gouvernement- Max) | (Le gouvernementunité) | |
- Je suis désolé. I CES | Courant de coupure du collecteur | V GE = 0V,VCE = VCES | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 1 | Je suis désolé. | |
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 25 | Je suis désolé. | |||
I GES | Courant de fuite de grille | V GE = ±20V, VCE = 0V | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 4 | μA | |
V GE (TH) | Tension de seuil de porte | I C = 40mA, V GE = VCE | 5.00 | 5.70 | 6.50 | v | |
- Je suis désolé. VCE (sat)(*1) | Voltage de saturation du collecteur-émetteur | V GE =15V, I C = 800A | - Je suis désolé. | 2.30 | 2.60 | v | |
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C | - Je suis désolé. | 2.80 | 3.10 | v | |||
I F | Courant direct de la diode | DCdc | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 800 | a) | |
I FRM | Le diode est équipé d'un système de décharge de courant | t P = 1ms | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 1600 | a) | |
- Je suis désolé. VF(*1) | Tension Directe de Diode | I F = 800A | - Je suis désolé. | 1.70 | 2.00 | v | |
I F = 800A, Tvj = 125 ° C | - Je suis désolé. | 1.80 | 2.10 | v | |||
C ies | Capacité d'entrée | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz | - Je suis désolé. | 60 | - Je suis désolé. | NF | |
Q g | Charge de la porte | ±15V | - Je suis désolé. | 9 | - Je suis désolé. | Le taux de décharge | |
C res | Capacité de transfert inverse | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | NF | |
L M | Inductance du module | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 20 | - Je suis désolé. | Je ne sais pas | |
R INT | Résistance interne du transistor | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. | 270 | - Je suis désolé. | μΩ | |
- Je suis désolé. - Je suis désolé. I SC | Courant de court-circuit, ISC | Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. - Je suis désolé. 3700 | - Je suis désolé. | - Je suis désolé. - Je suis désolé. a) | |
Le numéro de téléphone | Temps de retard de déclenchement | - Je suis désolé. - Je suis désolé. - Je suis désolé. I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω | - Je suis désolé. | 890 | - Je suis désolé. | N.S. | |
t f | Temps d'automne | - Je suis désolé. | 220 | - Je suis désolé. | N.S. | ||
E OFF | Perte d'énergie à l'arrêt | - Je suis désolé. | 220 | - Je suis désolé. | MJ | ||
Le numéro de téléphone | Temps de retard d'activation | - Je suis désolé. | 320 | - Je suis désolé. | N.S. | ||
t r | Il est temps de monter. | - Je suis désolé. | 190 | - Je suis désolé. | N.S. | ||
Eon | Perte d'énergie à l'activation | - Je suis désolé. | 160 | - Je suis désolé. | MJ | ||
Q rr | Charge de récupération inverse de la diode | - Je suis désolé. I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us | - Je suis désolé. | 260 | - Je suis désolé. | Le taux de décharge | |
I rr | Courant de récupération inverse de la diode | - Je suis désolé. | 510 | - Je suis désolé. | a) | ||
E rec | Énergie de récupération inverse de la diode | - Je suis désolé. | 180 | - Je suis désolé. | MJ | ||
Le numéro de téléphone | Temps de retard de déclenchement | - Je suis désolé. - Je suis désolé. - Je suis désolé. I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω | - Je suis désolé. | 980 | - Je suis désolé. | N.S. | |
t f | Temps d'automne | - Je suis désolé. | 280 | - Je suis désolé. | N.S. | ||
E OFF | Perte d'énergie à l'arrêt | - Je suis désolé. | 290 | - Je suis désolé. | MJ | ||
Le numéro de téléphone | Temps de retard d'activation | - Je suis désolé. | 400 | - Je suis désolé. | N.S. | ||
t r | Il est temps de monter. | - Je suis désolé. | 250 | - Je suis désolé. | N.S. | ||
Eon | Perte d'énergie à l'activation | - Je suis désolé. | 230 | - Je suis désolé. | MJ | ||
Q rr | Charge de récupération inverse de la diode | - Je suis désolé. I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us | - Je suis désolé. | 420 | - Je suis désolé. | Le taux de décharge | |
I rr | Courant de récupération inverse de la diode | - Je suis désolé. | 580 | - Je suis désolé. | a) | ||
E rec | Énergie de récupération inverse de la diode | - Je suis désolé. | 280 | - Je suis désolé. | MJ | ||
- Je suis désolé.
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