Module IGBT, 1700V 800A
clé- Je suis désolé.paramètres
vLe CES |
1700 |
v |
|
v- le(Le gouvernementassis) |
(type) |
2.30 |
v |
Jec |
(maximum) |
800 |
a) |
JeC ((RM) |
(maximum) |
1600 |
a) |
- Je suis désolé.
typique- Je suis désolé.Les demandes
caractéristiques
- Je suis désolé.
- Je ne sais pas.- Je suis désolé.Le maximum- Je suis désolé.notation
Je ne peux pas. |
(Paramètre) |
(conditions d'essai) |
(valeur) |
(Unité) |
VCES |
Voltage du collecteur-émetteur |
Les données sont fournies par le système de mesure.。c |
1700 |
v |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
TC = 25。c |
± 20 |
v |
Le C |
Courant collecteur-émetteur |
TC = 80。c |
800 |
a) |
Je C ((PK) |
Courant de collecteur de pointe |
T P=1ms |
1600 |
a) |
P max |
Dissipation de puissance maximale du transistor |
Tvj = 150。C, TC = 25。c |
6.94 |
Le prix |
Je ne |
Diode I 2t |
Pour les appareils de type V, la valeur de la tension maximale est de 0,01 V.。c |
120 |
KA2s |
|
- Je suis désolé. Le visol |
Voltage d'isolation par module |
(Terminals communs à la plaque de base), RMS AC, 1 min, 50 Hz, TC = 25。c |
4000 |
v |
Q PD |
Décharge partielle par module |
- Je ne peux pas. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50 Hz RMS, TC = 25。c |
10 |
PC |
- Je suis désolé.
Caractéristiques électriques
(Le gouvernementLe symbole) |
- Je suis désolé.(Le gouvernementparamètre) |
(conditions d'essai) |
(Le gouvernementminutes) |
(Le gouvernementtype) |
(Le gouvernement- Max) |
(Le gouvernementunité) |
|
|
- Je suis désolé. I CES |
Courant de coupure du collecteur |
V GE = 0V,VCE = VCES |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
1 |
Je suis désolé. |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
25 |
Je suis désolé. |
|||
I GES |
Courant de fuite de grille |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
4 |
μA |
|
V GE (TH) |
Tension de seuil de porte |
I C = 40mA, V GE = VCE |
5.00 |
5.70 |
6.50 |
v |
|
|
- Je suis désolé. VCE (sat)(*1) |
Voltage de saturation du collecteur-émetteur |
V GE =15V, I C = 800A |
- Je suis désolé. |
2.30 |
2.60 |
v |
|
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
- Je suis désolé. |
2.80 |
3.10 |
v |
|||
I F |
Courant direct de la diode |
DCdc |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
800 |
a) |
|
I FRM |
Le diode est équipé d'un système de décharge de courant |
t P = 1ms |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
1600 |
a) |
|
|
- Je suis désolé. VF(*1) |
Tension Directe de Diode |
I F = 800A |
- Je suis désolé. |
1.70 |
2.00 |
v |
|
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
- Je suis désolé. |
1.80 |
2.10 |
v |
|||
C ies |
Capacité d'entrée |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
- Je suis désolé. |
60 |
- Je suis désolé. |
NF |
|
Q g |
Charge de la porte |
±15V |
- Je suis désolé. |
9 |
- Je suis désolé. |
Le taux de décharge |
|
C res |
Capacité de transfert inverse |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. - Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
NF |
|
L M |
Inductance du module |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
20 |
- Je suis désolé. |
Je ne sais pas |
|
R INT |
Résistance interne du transistor |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. |
270 |
- Je suis désolé. |
μΩ |
|
|
- Je suis désolé. - Je suis désolé. I SC |
Courant de court-circuit, ISC |
Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. - Je suis désolé. 3700 |
- Je suis désolé. |
- Je suis désolé. - Je suis désolé. a) |
|
Le numéro de téléphone |
Temps de retard de déclenchement |
- Je suis désolé. - Je suis désolé. - Je suis désolé. I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Je suis désolé. |
890 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
|
t f |
Temps d'automne |
- Je suis désolé. |
220 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
||
E OFF |
Perte d'énergie à l'arrêt |
- Je suis désolé. |
220 |
- Je suis désolé. |
MJ |
||
Le numéro de téléphone |
Temps de retard d'activation |
- Je suis désolé. |
320 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
||
t r |
Il est temps de monter. |
- Je suis désolé. |
190 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
||
Eon |
Perte d'énergie à l'activation |
- Je suis désolé. |
160 |
- Je suis désolé. |
MJ |
||
Q rr |
Charge de récupération inverse de la diode |
- Je suis désolé. I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
- Je suis désolé. |
260 |
- Je suis désolé. |
Le taux de décharge |
|
I rr |
Courant de récupération inverse de la diode |
- Je suis désolé. |
510 |
- Je suis désolé. |
a) |
||
E rec |
Énergie de récupération inverse de la diode |
- Je suis désolé. |
180 |
- Je suis désolé. |
MJ |
||
Le numéro de téléphone |
Temps de retard de déclenchement |
- Je suis désolé. - Je suis désolé. - Je suis désolé. I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Je suis désolé. |
980 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
|
t f |
Temps d'automne |
- Je suis désolé. |
280 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
||
E OFF |
Perte d'énergie à l'arrêt |
- Je suis désolé. |
290 |
- Je suis désolé. |
MJ |
||
Le numéro de téléphone |
Temps de retard d'activation |
- Je suis désolé. |
400 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
||
t r |
Il est temps de monter. |
- Je suis désolé. |
250 |
- Je suis désolé. |
N.S. |
||
Eon |
Perte d'énergie à l'activation |
- Je suis désolé. |
230 |
- Je suis désolé. |
MJ |
||
Q rr |
Charge de récupération inverse de la diode |
- Je suis désolé. I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
- Je suis désolé. |
420 |
- Je suis désolé. |
Le taux de décharge |
|
I rr |
Courant de récupération inverse de la diode |
- Je suis désolé. |
580 |
- Je suis désolé. |
a) |
||
E rec |
Énergie de récupération inverse de la diode |
- Je suis désolé. |
280 |
- Je suis désolé. |
MJ |
||
- Je suis désolé.
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