Le module IGBT à commutateur unique, YMIF750-65_CRRC

Module IGBT 6500V

Module IGBT à interrupteur unique, YMIF750-65_CRRC

Module IGBT à interrupteur unique, YMIF750-65_CRRC

Pour les appareils de type à commande numérique

Brand:

RCRC

Spu:

YMIF750-65 /TIM750ASM65-PSA011

le début
le schéma

le début

Le système de commutation IGBT unique, 6500V/750A

paramètres clés

- Je suis désolé.

VCES	6500 V
VCE(sat) Typ.	3.0 V
IC Max.	750 A
IC(RM) Max.	1500 A

- Je suis désolé.

les applications typiques

Les moteurs de traction
Contrôleur de moteur
Réseau intelligent
Inverseur à haute fiabilité

caractéristiques

Plaque de base AISiC
Substrats AIN
Capacité de cycle thermique élevée
10μs de résistance au court-circuit

- Je suis désolé.

Maximum absolu- Je suis désolé.Ratings

- Je suis désolé.

Le symbole	paramètre	Conditions d'essai	valeur	unité
v_{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	VGE = 0V, TC= 25 °C	6500	v
v_GES	Voltage de l'émetteur de la porte	TC= 25 °C	± 20	v
Je_c	Courant collecteur-émetteur	TC = 80 °C	750	a)
Je_{C (((PK)}	Courant de collecteur de pointe	tp = 1 ms	1500	a)
p_{- Max}	Dissipation de puissance maximale du transistor	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	11.7	Le prix
Je²t	Diode I2t	VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C	460	KA2s
v_isolée	Tension d'isolement - par module	(Terminaisons communes à la plaque de base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C	10.2	Le nombre de
Q_PD	Décharge partielle - par module	IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	PC

- Je suis désolé.

Données thermiques et mécaniques

Le symbole	explication	valeur	unité
Distance de fuite	Terminal à évier de chaleur	56.0	mm
Distance de fuite	Terminal à terminal	56.0	mm
Autorisation	Terminal à évier de chaleur	26.0	mm
Autorisation	Terminal à terminal	26.0	mm
CTI (Indice de suivi comparatif)	- Je suis désolé.	>600	- Je suis désolé.

Rth(J-C) IGBT	Résistance thermique - IGBT	- Je suis désolé.	- Je suis désolé.	- Je suis désolé. 8.5	K / kW
- Je suis désolé. Rth(J-C) Diode	Résistance thermique - Diode	- Je suis désolé.	- Je suis désolé.	- Je suis désolé. 19.0	- Je suis désolé. K / kW
- Je suis désolé. Rth(C-H) IGBT	Résistance thermique - boîtier au dissipateur thermique (IGBT)	Couple de montage 5Nm, avec graisse de montage 1W/m·°C	- Je suis désolé.	- Je suis désolé. 9	- Je suis désolé. K / kW
- Je suis désolé. Rth(C-H) Diode	Résistance thermique - boîtier au dissipateur thermique (Diode)	Couple de montage 5Nm, avec graisse de montage 1W/m·°C	- Je suis désolé.	- Je suis désolé. 18	- Je suis désolé. K / kW
Le travail de télé	Température de fonctionnement des jonctions	(IGBT)	-40	125	°c
Le travail de télé	Température de fonctionnement des jonctions	(Diode)	-40	125	°c
TSTG	Température de stockage plage de température de stockage	- Je suis désolé.	-40	125	°c
- Je suis désolé. - Je suis désolé. - Je suis désolé. m	- Je suis désolé. - Je suis désolé. Couple de vis	Montage – M6	- Je suis désolé.	5	Nm
		Connexions électriques – M4	- Je suis désolé.	2	Nm
		Connexions électriques – M8	- Je suis désolé.	10	Nm

- Je suis désolé.

caractéristiques électriques

- Je suis désolé.

符号 (nom de l'entreprise)Le symbole		Nom de l'équipeparamètre		条件 Conditions d'essai		Le plus petit- Je vous en prie.	valeur typique- Je sais.	Le maximumJe suis désolé.	单位unité
- Je suis désolé. Le CIEM		- Je suis désolé. 集电极截止电流 Le courant est coupé Courant de coupure du collecteur		VGE = 0V,VCE = VCES		- Je suis désolé.	- Je suis désolé.	1	Je suis désolé.
				VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C		- Je suis désolé.	- Je suis désolé.	90	Je suis désolé.
IGES		极漏电流 (l'écoulement électrique extrême) Courant de fuite de grille		VGE = ±20V, VCE = 0V		- Je suis désolé.	- Je suis désolé.	1	μA
VGE (TH)		Grille- Je suis désolé.Tension de seuil de l'émetteurTension de seuil de porte		IC = 120mA, VGE = VCE		5.00	6.00	7.00	v
- Je suis désolé. VCE (sat)(*1)		集电极- Je suis désolé.Tension de saturation de l'émetteur Saturation collecteur-émetteur tension		VGE = 15V, IC = 750A		- Je suis désolé.	3.0	3.4	v
				VGE = 15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C		- Je suis désolé.	3.9	4.3	v
si		Courant continu direct de la diodeCourant direct de la diode		dc		- Je suis désolé.	750	- Je suis désolé.	a)
RFI		Courant de crête répétitif direct de la diode Courant de pointe direct du diode		tp = 1ms		- Je suis désolé.	1500	- Je suis désolé.	a)
- Je suis désolé. VF(*1)		- Je suis désolé. Tension directe du diode Tension Directe de Diode		IF = 750A, VGE = 0		- Je suis désolé.	2.55	2.90	v
				IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C		- Je suis désolé.	2.90	3.30	v
- Je suis désolé. - Je suis désolé.		- Je suis désolé. 短路 électrique courant de court-circuit		Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9		- Je suis désolé.	- Je suis désolé. 2800	- Je suis désolé.	- Je suis désolé. a)
Les		Capacité d'entrée Capacité d'entrée		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		- Je suis désolé.	123	- Je suis désolé.	NF
Le siège		极电荷 Charge de la porte		±15V		- Je suis désolé.	9.4	- Je suis désolé.	Le taux de décharge
Des produits		Capacité de transmission inverse Capacité de transfert inverse		VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		- Je suis désolé.	2.6	- Je suis désolé.	NF
Je suis		Inductance du module Inductance du module		- Je suis désolé.		- Je suis désolé.	10	- Je suis désolé.	Je ne sais pas
RINT		Résistance interne Résistance interne du transistor		- Je suis désolé.		- Je suis désolé.	90	- Je suis désolé.	mΩ
Td_(arrêt)	Délai d'extinction Temps de retard de déclenchement		- Je suis désolé. IC =750A, VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,		Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	3060	- Je suis désolé.	N.S.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	3090	- Je suis désolé.
t_f	Temps de descenteTemps d'automne				Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	2390	- Je suis désolé.	N.S. - Je suis désolé. MJ - Je suis désolé. N.S. - Je suis désolé. N.S. - Je suis désolé. MJ - Je suis désolé. Le taux de décharge
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	2980	- Je suis désolé.
e_Éteint	Pertes de coupure Perte d'énergie à l'arrêt				Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	3700	- Je suis désolé.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	4100	- Je suis désolé.
Td_(sur)	开通延迟时间 Temps de retard d'activation		- Je suis désolé. IC =750A, VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,		Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	670	- Je suis désolé.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	660
le	Le temps augmenteIl est temps de monter.				Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	330	- Je suis désolé.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	340
e_sur	Pertes de commutation Perte d'énergie à l'activation				Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	4400	- Je suis désolé.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	6100	- Je suis désolé.
Je suis désolé.	Charge de récupération inverse du diodeDiode à l'envers Frais de recouvrement		- Je suis désolé. - Je suis désolé. IF =750A, VCE = 3600V, - diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).		Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	1300	- Je suis désolé.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	1680	- Je suis désolé.
Je suis désolé.	Courant de récupération inverse du diodeDiode à l'envers Courant de récupération				Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	1310	- Je suis désolé.	a) - Je suis désolé. MJ
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	1460	- Je suis désolé.
Érec	Pertes de récupération inverse du diodeDiode à l'envers énergie de récupération				Tvj = 25 °C	- Je suis désolé.	2900	- Je suis désolé.
					Tvj= 125 °C	- Je suis désolé.	4080	- Je suis désolé.